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砍掉DRAM缓存换上QLC闪存:三星990 Value SSD杀入入门级市场
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快科技 7 月 4 日消息,三星正在为一款全新的 M.2 NVMe Gen 4 固态硬盘 SSD 990 做最后的准备。该产品定位入门级市场,与 990 EVO Plus、990 PRO 形成差异化布局。

SSD 990 采用无独立 DRAM 缓存方案,依托主机内存缓冲技术提升性能。它搭载三星自研主控芯片,接口为 PCIe Gen 4 x4。

与 990 EVO Plus 最大的区别在于闪存类型,990 大概率使用 QLC NAND,而 EVO Plus 采用 TLC NAND。

写入寿命数据进一步佐证了 QLC 闪存的判断。1TB 版本标称写入寿命为 400 TBW,2TB 版本为 800 TBW。

作为对比,使用 TLC 闪存的 990 EVO Plus 在耐久性上更胜一筹。保修期也缩短至 3 年,低于高端型号的 5 年标准。

性能方面,2TB 版本顺序读取速度最高达 7250 MB/s,1TB 版本最高 7150 MB/s,两款顺序写入速度均为 6450 MB/s。

这一速度已进入 PCIe Gen 4 时代的高端区间,对一款无缓存入门级产品而言表现相当亮眼。

EVO Plus 提供 Gen 4 x4 或 Gen 5 x2 双接口支持,而 SSD 990 仅支持 Gen 4 x4。两种容量版本已在部分渠道的等待清单中出现。

三星尚未公布售价与上市时间,但定位入门级的 990 有望以更具竞争力的价格切入市场。

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责任编辑:红茶

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