不是完胜那就还没有胜

韩国经济日报报道，在 3D NAND 闪存领域，中国厂商的专利布局已悄然形成对韩系巨头的反超态势。

据媒体统计，长江存储（YMTC）在混合键合领域的核心专利已达 119 件，而三星电子为 83 件，SK 海力士仅 11 件。这种差距直接体现在技术路线上：三星已确认将从第 10 代 V-NAND（V10，400 层以上）开始，采用长江存储的专利混合键合技术。

混合键合技术将存储单元和外围电路分别制造在两片晶圆上再进行贴合，无需传统凸点连接，能大幅提升性能和散热能力。当 NAND 层数超过 400 层时，三星原有的 COP 结构面临可靠性瓶颈。

对此，长江存储四年前就已率先将名为 " 晶栈 " 的混合键合技术应用于 3D NAND 制造，并建立了强大的专利组合。TrendForce 指出，三星之所以选择与长江存储合作，很大程度上是因为后续几代 V-NAND 产品都难以绕过后者的专利壁垒。此前 SK 海力士也被曝出正在与长江存储洽谈专利授权协议。

在 DRAM 领域，长鑫存储（CXMT）的追赶速度同样惊人。据业内消息，长鑫存储   已向华为等中国 AI 芯片客户交付 16nm 制程的 HBM3 样品，预计在 2026 年底实现 HBM3 全面量产。长鑫计划将 20% 的 DRAM 产能，也就是月产约 6 万片晶圆投入 HBM3 生产。

目前三星电子和 SK 海力士主导全球 HBM 市场，长鑫与韩系龙头的制造能力差距已缩短至不到三年。据 SemiAnalysis 报道，长鑫已成为全球第四大 DRAM 厂商，但受制于 EUV 和 TSV 设备的出口限制，在先进制程和 HBM 领域仍面临技术瓶颈。

在 "Bonding DRAM" 等下一代技术上，中国被认为可能跑在前面。长鑫正在合肥建设 Bonding DRAM 的试产线，预计采用 DUV 设备结合多重图形化工艺实现量产。此外，长鑫已正式启动 CXL 3.0 市场开拓计划，正与本土厂商合作开发 CXL 内存控制器。

为支撑扩张，长鑫已获准在科创板上市，计划募资最高 295 亿元人民币。此次 IPO 有望成为科创板历史上第二大、A 股今年最大规模的 IPO。

媒体认为，中国存储芯片产业在混合键合领域的专利优势，已迫使三星等巨头不得不寻求授权合作，这在几年前几乎是不可想象的。韩国半导体必须尽快在下一代存储和封装技术上建立不可替代的超差距技术力。

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