美光科技（MU.US）近日正式启动日本广岛工厂扩建工程，总投资 1.5 万亿日元（约合 93 亿美元），用于生产包括高带宽存储器（HBM）在内的先进存储芯片，预计 2028 年夏季开始出货。日本经济产业省已承诺提供最高 5000 亿日元补贴。此次扩建是美光全球 AI 产能布局的关键一环，HBM 作为英伟达（NVDA.US）AI 处理器的核心组件，其产能扩张印证了 AI 算力对先进封装的刚性需求。与此同时，三星电子拟将三季度 DRAM 售价环比提高 20%，SK 海力士计划投资 80 万亿韩元新建 NAND 工厂，全球存储扩产浪潮正在加速。截至 09:54，半导体设备 ETF 易方达（159558）涨约 1.3%，北方华创（002371.SZ）涨约 0.4%，中微公司（688012.SH）涨约 2.4%，盛美上海（688082.SH）涨约 3.9%，板块整体走强。

一、全球存储三巨头密集扩产，半导体设备需求确定性增强

美光广岛 HBM 项目、三星 NAND 新厂、SK 海力士清州扩产，全球存储三巨头在 2026 年几乎同步启动了大规模资本开支计划。HBM 产能扩张直接拉动先进封装设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备的需求，而 NAND 与 DRAM 扩产则带动前道制造设备的整体需求。存储芯片从设计到制造的全球产能布局，为半导体设备产业链提供了持续且确定的需求增量，国内设备厂商有望受益于全球资本开支外溢。

二、HBM 产能竞赛加速，先进封装设备需求爆发

HBM 作为 AI 芯片的核心存储组件，其产能瓶颈已成为制约 AI 算力扩张的关键因素。美光在广岛建设 HBM 专用产线，SK 海力士在韩国持续推进 HBM3E 量产，三星也在加速 HBM 产能爬坡。HBM 制造涉及 TSV（硅通孔）、堆叠键合、先进封装等工艺环节，对刻蚀、薄膜沉积、检测等半导体设备需求拉动显著。国内半导体设备企业在刻蚀、薄膜、清洗等领域的国产替代进程，有望在这一轮全球 HBM 扩产周期中加速推进。

三、存储涨价叠加国产替代，设备环节景气度持续上行

三星拟三季度 DRAM 提价 20%，存储芯片价格上行周期明确，存储厂商盈利能力改善将进一步提升资本开支意愿。与此同时，国内存储厂商长鑫长存在技术突破与产能扩张方面的持续投入，为国产半导体设备提供了稳定的订单来源。海外扩产叠加国内需求，半导体设备行业景气度有望持续上行。从国内设备企业中报预期来看，订单高增趋势已初步确立，业绩兑现确定性较强。

四、核心标的逐一拆解

北方华创：国内半导体设备平台型龙头，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、热处理等核心工艺环节，客户覆盖国内主要晶圆厂与存储厂。受益于存储扩产与国产替代双轮驱动，在手订单饱满。截至 09:54 涨约 0.4%。

中微公司：国内刻蚀设备龙头，CCP 与 ICP 刻蚀设备均已进入国内外主流产线。公司在 3D NAND 与先进逻辑制程领域的刻蚀设备工艺覆盖度持续提升，HBM 扩产有望进一步拉动刻蚀设备需求。截至 09:54 涨约 2.4%。

盛美上海：国内半导体清洗设备龙头，产品覆盖单片清洗、槽式清洗、电镀等工艺环节，客户涵盖国内主要晶圆厂。公司在先进封装清洗设备领域布局深入，有望受益于 HBM 产能扩张。截至 09:54 涨约 3.9%。

拓荆科技（688072.SH）：国内 PECVD 与 ALD 设备龙头，产品已进入国内主流存储与逻辑产线。公司在薄膜沉积设备领域的技术积累深厚，存储扩产周期下薄膜沉积设备需求弹性较大。

五、关注思路

短期来看，美光广岛 HBM 项目动工叠加三星 DRAM 涨价，全球存储扩产浪潮加速，半导体设备需求确定性增强，板块情绪有望持续回暖。中期来看，国内存储厂商扩产与海外资本开支外溢形成双重需求支撑，设备企业订单高增趋势有望延续。长期来看，HBM 产能竞赛与先进制程迭代将持续拉动半导体设备投资，国产替代进程加速为国内设备企业提供长期增长空间。

半导体设备 ETF 易方达（159558）跟踪半导体材料设备指数，聚焦刻蚀、薄膜沉积、清洗、检测等半导体设备核心环节，最新规模约 171 亿元，是国内半导体设备 ETF 中规模居前的产品。