全球 AI 算力扩张带动存储芯片需求持续走高，国内两大存储龙头同步推进产线设备国产化，配套光通信核心元件也完成国产验证突破。长江存储三期国产设备占比突破五成，长鑫新一代 DRAM 产线大幅提升本土设备采购规模，高速光模块国产 TEC 制冷元件进入批量验证阶段，存储上下游产业链同步降海外依赖，国产存储完整自主可控进程全面提速。

作为国内 3D NAND 闪存唯一原厂，长江存储长期受海外设备管制制约，三期新厂区自规划之初便确立高国产化采购目标，如今核心生产设备国产化率正式突破 50%，成为国内存储产线自主替代标杆项目。该产线覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、晶圆量测等全部核心工序，中微公司刻蚀机、北方华创沉积设备、拓荆薄膜设备、精测电子量测设备批量入驻生产线，摆脱过往对美日进口设备的重度依赖。受制于实体清单限制，长江存储一期、二期设备进口渠道受限，三期放弃单纯依赖海外设备的建设思路，同步配套自研 Xtacking 4.0 无 EUV 堆叠工艺，依靠国产 DUV 设备即可实现 294 层闪存稳定量产，设备与工艺双向自主形成闭环优势。更高国产化率不仅降低海外断供风险，本土设备采购成本相较进口机型下降三成，设备交付、售后调试周期大幅缩短，支撑三期产能快速爬坡，投产后将大幅提升国产 NAND 全球供给份额。

DRAM 赛道的长鑫存储同步加码国产设备布局，新一代先进 DRAM 产线加速进场落地，年内国产设备整体采购比例提升至 40%，较上代产线不足两成的国产化水平实现翻倍增长。DRAM 制造流程繁复，刻蚀与薄膜沉积设备合计占据产线设备总投入一半，是国产化攻坚核心环节。长鑫本次扩产招标中，大幅提升本土设备采购份额，国产刻蚀、清洗设备采购占比提升至 50% 以上，薄膜沉积国产设备采购占比同步上涨，大量国产设备进入量产工艺验证环节。长鑫依托大额 IPO 扩产资金持续释放设备订单，为国内半导体设备厂商提供规模化量产验证场景，设备厂商通过长期配套存储产线迭代优化工艺性能，形成 " 晶圆厂采购—设备迭代—性能升级 " 正向循环，持续缩小与海外高端设备差距。

存储算力配套产业链同样迎来关键突破，高速光模块国产 TEC 热电制冷元件启动批量验证，补齐 AI 服务器光通信核心零部件短板。当前 400G、800G、1.6T 高速光模块是算力数据中心刚需，激光器对温度极度敏感，微小温差即可造成激光波长漂移，引发信号串扰、传输误码，TEC 制冷元件负责将激光器温度稳定控制在 ± 0.1 ℃区间，是高速光模块不可或缺的核心零部件。过去高端微型 TEC 市场长期由美日企业垄断，国内光模块厂商零部件采购高度依赖海外货源。如今国产自研 TEC 元件完成多轮性能测试，进入头部光模块厂商批量验证流程，核心碲化铋热电材料实现本土量产，能够适配高密度 CPO 共封装光学模组、AI 服务器高速光引擎散热需求，一旦通过量产验证，将大幅降低国内光通信产业链海外材料采购比例，缓解算力基础设施上游零部件卡脖子难题。

从存储制造核心设备，到算力配套光电温控元件，国产存储产业链正由单点突破转向全链条协同替代。长江存储、长鑫两大存储龙头主动抬高国产设备采购权重，持续培育本土半导体设备产业；光模块 TEC 元件实现国产化验证，补齐算力配套细分短板。多重利好叠加之下，国内存储产业不再单一依赖海外设备与零部件供给，供应链韧性显著增强。伴随新产线持续投产、国产设备工艺持续成熟，未来存储芯片制造成本、交付周期、供应链安全都将得到全面优化，为国产 HBM、高端消费级存储规模化供货筑牢产业根基。# 热爆趣创赛 #