近日，据业内可靠消息来源披露，三星已正式重启其 1.4 纳米（SF1.4）代工工艺的商业化进程。该公司将该工艺的量产时间节点调整至 2029 年，并已全面展开与全球顶尖半导体设备合作伙伴的深度协同研发。

此前，三星电子曾计划在更早节点推进 1.4 纳米工艺落地。然而，为集中资源保障 2 纳米（SF2）及 2 纳米衍生工艺（SF2P）的核心市场竞争力，公司主动调整了技术路线图，优先聚焦现有尖端工艺的良率稳定与性能优化。

事实证明，这一 " 以质取胜 " 的策略已取得阶段性显著成效，核心成果集中在两大维度。首先是良率突破，2 纳米工艺良率已实现稳定达标；其次是客户拓展取得实质性进展，凭借优异的工艺综合表现，三星已成功斩获特斯拉（Tesla）下一代 AI 芯片的代工订单。

在 2 纳米节点取得里程碑式突破后，三星电子正将目光投向更长远的技术迭代，正式开启下一代 1.4 纳米工艺的研发攻坚。据行业内部消息，三星电子已于近期向应用材料、泛林集团等核心设备合作伙伴同步了详尽的 1.4 纳米工艺技术规划，并提出了下一代先进设备的定向定制开发需求。

所有协同开发的新型工艺设备将优先交付给三星电子旗下最先进的半导体研发中心 —— NRD-K。该研发中心目前已完成 ASML 下一代高 NA 极紫外（High-NA EUV）光刻设备的部署进场。高 NA EUV 技术预计将从 1.4 纳米工艺节点起，正式应用于芯片部分核心层的制造。

随着半导体工艺复杂度呈指数级上升，三星电子此次提前向全球供应链释放明确的设备规格需求，旨在为合作伙伴留出充足的研发与验证周期，确保设备参数与工艺要求高度适配。

随着 1.4 纳米研发重回快车道，全球晶圆代工三巨头的尖端技术竞赛正进入全新白热化阶段。目前，台积电计划于 2028 年前后实现 1.4 纳米商业化量产，英特尔也在全力推进同代际工艺节点的研发落地。三星电子凭借逐步企稳的良率表现和高 NA EUV 的前置协同研发，正加速缩小与头部竞争对手的技术差距。

此外，三星电子的技术战略蓝图已同步延伸至存储领域。据透露，三星已向设备厂商下达了下一代 V12 NAND 闪存的设备采购需求。V12 NAND 预计将于 2030 年左右进入大规模量产，该产品将通过全新的多晶圆堆叠结构，实现相较于传统 NAND 闪存跨越式的容量跃升与性能提升。

从整体战略维度看，三星此番在先进制程上的节奏调整与前瞻布局，清晰展现出其 " 筑牢当下、卡位未来 " 的产业思路。一方面以成熟稳定的 2 纳米工艺抢占当下高端代工市场份额，另一方面提前联动供应链启动 1.4 纳米技术攻关，同步在存储赛道完成下一代 NAND 的技术铺垫。

这种双线并进、长短结合的技术路线，既是头部半导体企业应对制程极限挑战的必然选择，也将进一步推高全球先进制程的竞争门槛。随着三巨头在 1.4 纳米节点的角逐逐步进入实质阶段，全球高端芯片制造的产业格局，也将伴随技术迭代的加速迎来新的变量。

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