快科技 7 月 6 日消息，杭州镓仁半导体近日宣布，全球首条兼容 6 英寸与 8 英寸的氧化镓同质外延量产线正式全面投产。

首批 6 英寸（100）面氧化镓同质外延晶圆已同步交付国内头部晶圆厂开展器件试样验证。这标志着我国第四代超宽禁带半导体材料实现规模化量产重大突破。

在此之前，全球氧化镓产业长期受限于 2 至 4 英寸小尺寸产能瓶颈，海外厂商无法实现 6 英寸及以上同质外延商业化供货。

小尺寸晶圆单批芯片产出少、制造成本居高不下，难以适配新能源、特高压等领域大批量工业化制造需求。镓仁半导体一举打通了单晶生长、衬底加工到同质外延的全流程量产链路。

技术层面，该产线依托企业自研的铸造法单晶长晶技术与定制化 MOCVD 外延工艺。自研铸造法可稳定生长超厚氧化镓晶体，大幅减少贵金属铱的消耗。

配合超薄衬底加工技术，衬底单片成本降幅超过 80%，单块晶体的出片量提升至传统工艺的 3 到 4 倍。

工艺数据显示，该产线产出的外延片厚度超过 10 微米，膜厚均匀性方差低于 1%，晶体缺陷密度大幅优化。

同质外延晶格完美匹配衬底，可充分释放氧化镓超高耐压、低导通损耗的材料优势。该产线已成为全球唯一具备 6 英寸氧化镓同质外延稳定供货能力的产线。

8 英寸工艺已同步完成技术验证并预留扩产空间，技术水平领先海外同类方案至少三年。这条兼容产线可直接复用国内现有成熟晶圆制造设备，无需新建专属产线。

氧化镓适配 800V 车载快充、光伏储能、高压电网、日盲紫外探测等高端场景。本次产线投产正式推动氧化镓从实验室研发迈入商业化批量供货阶段。

目前多家海外企业及科研机构已陆续下单，部分合作客户已开展长期稳定采购。

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