（来源：Ai& 芯片那点事儿）

韩媒报道称，中国存储巨头长鑫存储（CXMT）目前正在合肥测试一条 Bonded DRAM（键合式 DRAM）试验生产线，目标是在不使用 EUV（极紫外）光刻设备的情况下，实现高性能 DRAM 制造。

因而，其有望成为 1D 及以后 DRAM 世代的重要工艺方向，被三星、SK 海力士、长鑫存储等厂商视为下一代 DRAM 竞争的关键技术之一。

目前，三星正通过代号为 B1b 的项目推进自主 Bonded DRAM 技术研发，SK 海力士也在同步开发类似技术。如果生产线开展顺利，意味着长鑫存储不仅在传统 DRAM 制程上持续追赶国际龙头，还可能通过 Bonded DRAM 这一新技术路线，在一定程度上绕开 EUV 设备限制，加速缩小与国际领先厂商之间的技术差距。

韩媒还指出，业内已有观点认为，长鑫存储在 Bonded DRAM 技术成熟度以及研发推进速度方面，可能已经领先于韩国两大存储厂商。