随着 6 月科创板 IPO 注册生效，长鑫科技进入上市倒计时，最快将在 7 月中下旬新股申购。本次 IPO 拟募资 295 亿元，将成为科创板史上规模第二大的项目。

资本市场热度拉满的同时，长鑫在全球存储产业的话语权持续提升，在消费电子 DRAM（动态随机存取存储器）赛道攻城略地。

从去年第二季度到今年一季度，长鑫的全球 DRAM 份额从 3.97% 跃升至 8%。据第一财经记者采访了解，长鑫产品在安卓品牌手机（不含华为）中的采用比例突破 30%，甚至有供应链人士预估很快触及 50% 水位线。近日还有传闻称，苹果也在测试长鑫的 DRAM 内存芯片，计划用于在中国市场销售的设备。

这一机会窗口不仅是存储供应紧缺历史性机遇带来的，也与国际存储原厂将主要产能和研发资源大幅转向服务器与 HBM（高带宽内存），" 让出 " 部分消费电子地盘有一定关系。如何守住这份战果，长鑫面临潜在挑战。

一方面，三星电子、SK 海力士等已在扩大产能，业界预计新产能将于明年开始逐步释放。另一方面，在利润较高、需求增长较快的服务器市场，仍是国际原厂占据优势。长鑫在服务器 DRAM 和 HBM 领域仍有 " 硬仗 " 要打。

加速进入手机市场

在 AI 需求爆发的背景下，去年下半年以来，存储陷入结构性缺货。TrendForce 集邦咨询表示，随着三星、SK 海力士和美光持续将更多资源投入 HBM 和服务器 DRAM，移动 DRAM 供应出现结构性变化，长鑫正在快速扩大 LPDDR（低功耗移动内存）产品在中国智能手机供应链中的市场份额。

相比几年前主要依靠 DDR4（内存规格，数字越大代数越新）切入市场，如今长鑫的产品矩阵已经覆盖 DDR4、DDR5 以及 LPDDR4X、LPDDR5、LPDDR5X，并形成 DRAM 晶圆、芯片和模组等产品布局。

招股书显示，DDR 和 LPDDR 系列分别占据长鑫去年营收的 31.87% 和 66.43%。其中 LPDDR 主要用于移动设备，例如手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备等；服务器、台式机等应用则属于 DDR。

目前，长鑫终端客户覆盖包括阿里云、腾讯、字节跳动、联想、小米、荣耀、OPPO、vivo、传音等厂商。

一位接近产业链人士向第一财经记者表示，目前长鑫 LPDDR 产品出货量已经占公司整体 DRAM 出货量的 40% 以上，在中国安卓品牌手机（不含华为）中的采用比例已经超过 30%。

另一位接近三星电子的人士也向记者表示，上述数字基本符合行业判断。

" 目前长鑫产品的占比还在持续提升。大家以前认为长鑫最大的优势是价格，但现在这种情况已经发生变化。" 上述人士表示，目前部分长鑫 LPDDR 颗粒采购价格已经接近国际厂商，同规格产品与 SK 海力士相比，价格差距通常只有个位数百分比甚至没有太大区分。

这一变化也反映在产品迭代速度上。

去年推出的 LPDDR5X 产品最高数据传输速率达到 10667Mbps，与三星、SK 海力士、美光主流旗舰移动 DRAM 产品规格一致。

" 长鑫在手机内存领域的竞争力提升比较快，目前已经稳定应用于我们的部分产品。" 一位国产手机产业链人士向第一财经记者表示，如果只看公开参数，LPDDR5X 已经达到国际主流厂商产品规格。

兴业证券认为，长鑫采用 " 跳代研发 " 策略，推出 16Gb DDR5 产品时直接采用更先进节点，进一步缩小与海外厂商的工艺差距。东方证券则认为，公司已经完成从第一代到第四代工艺平台的量产，实现了从 DDR4、LPDDR4X 向 DDR5、LPDDR5/5X 的产品迭代，核心产品已进入国际主流产品序列。

一位手机产业链人士对记者表示，按照当前的存储供应情况，预估长鑫将很快触及 50% 水位线。

就长鑫在安卓手机市场的搭载率、市场份额，长鑫暂未向第一财经记者回应。

能守住地盘吗？

眼下长鑫所享受的供需红利，既来自于自身产品竞争力提升，也受益于国际存储产业资源重新配置带来的窗口期——海外原厂约三分之二的 DRAM 收入已由数据中心和 HBM 驱动，他们把主要的产能和精力都放在了高利润的 AI 高端产品上。

但窗口期并不会永远存在。

随着韩国日前宣布新一轮半导体投资计划，三星电子和 SK 海力士未来几年将继续扩大 NAND 闪存、DRAM 和 HBM 产能，一个更值得关注的问题也随之浮现：如果未来 AI 需求放缓，高利润 HBM 赛道降温，国际原厂是否会重新把部分产能转为消费电子市场？届时，DRAM 供需关系将可能从 " 紧缺 " 转向 " 宽松 "，甚至引发新一轮价格战。长鑫面对的竞争，将不再是产能有所转移的国际巨头，而是重新回到同一赛道，与三星、SK 海力士、美光展开正面竞争。

不论是守好消费电子领域的地盘，还是扩展服务器新市场，长鑫在产能和经营上都需要做好准备。

从公开数据来看，长鑫已经具备了一定竞争力，但与国际龙头相比，仍处于追赶阶段。

在产能方面，长鑫在招股书中表示，公司的产能规模远低于国内庞大的市场需求。产能之外，记者梳理财务数据发现，长鑫应收账款周转率等部分经营数据好于海外龙头，存货周转率则偏低。

在应收账款周转方面，长鑫 2023 年至 2025 年应收账款周转率分别达到 34.63 次、21.44 次和 36.49 次，而同期三星电子、SK 海力士和美光大多维持在 7 次左右。这意味着长鑫现金回笼速度较快，在资金管理方面具有一定优势。但这一优势很大程度上来自长鑫的销售模式——公司主要通过经销商销售，采取 " 先款后货 " 方式，这种模式在行业上行期能有效保障现金流，但也意味着长鑫对渠道的议价能力和市场覆盖广度与国际巨头仍有差距。

存货周转率方面，长鑫则明显落后。这主要是由于产能爬坡、不处于产能稳定且满产状态导致。招股书显示，2023 年 ~2025 年，长鑫存货账面金额从 107.4 亿元攀升至 285.7 亿元，存货周转率分别为 0.78 次、1.29 次、1.44 次，同期三星电子、SK 海力士、美光存货周转率均在 2 次以上。

对于晶圆制造企业而言，存货周转不仅意味着库存管理能力，也反映着供应链组织效率和稳定量产能力。如果未来市场供需关系逆转，海外原厂重新加大消费电子产品供应，长鑫如何进一步提升生产效率、降低库存压力，将成为竞争中的重要考验。

还有一部分挑战来自规模优势。记者走访深圳华强北发现，目前长鑫服务器内存条在市场上甚至能够卖出接近甚至高于三星产品的价格，并不是因为性能已经全面领先，而是供给仍然偏紧。

一位商家告诉记者，64GB 产品长期供不应求，而 128GB 产品一次甚至很难拿到 10 条；相比之下，进口品牌一个月能够供应数万条。这意味着，当前长鑫在部分产品上的议价能力，很大程度上来自供需失衡，而非规模优势。一旦国际原厂重新释放消费电子产能，供给关系发生变化，这种价格优势还能否持续，将成为新的变量。

长鑫还有部分关键技术参数未披露，例如良率数据。有模组厂市场人员告诉记者，国产颗粒良率已比两年前改善。此前拿到的 DDR4 颗粒曾存在兼容性问题，现在未经原厂完整测试的 " 白片 " 颗粒 ETT DDR5 性能尚可。

此外，长鑫下游也与国际龙头不同。招股书显示，长鑫的业务高度集中在国内市场，去年不含香港在内的境外销售占比仅为 2.79%。长鑫向外部模组厂销售的未切割及封测的晶圆颗粒也不多，而是主要采取 " 自产颗粒并亲自制成模组 " 的方式销售给下游终端客户。

要成为一家影响力更大的厂商，长鑫未来不仅要在产能上更多布局，还需要增厚技术积淀、扩充下游客户、走向更广阔的国际市场。

下个考验在服务器与 HBM

对于一家希望跻身全球第一梯队的存储企业而言，消费电子只是起点，不是终点。在该领域占有一定身位后，长鑫接下来的关键一战，将是在与数据中心高度相关的服务器和 HBM 领域。

放眼全球 DRAM 产业，真正拉开企业差距的已经不再是手机、PC 等传统市场，而是服务器和 HBM。过去几年，AI 训练和推理需求爆发，全球新增 DRAM 需求很大程度来自数据中心。

TrendForce 集邦咨询分析师王豫琪告诉记者，DRAM 市场产能已高度集中在服务器、HBM 产品。服务器占比高达 44%，HBM 占比 9%，再加上与服务器相关的移动端产能，整个 DRAM 市场有高达 60%~65% 的产能与服务器相关，预计到 2027 年这一比例将攀升至 70%。

服务器市场考验的不只是性能，还有可靠性和规模化供货能力。服务器需要全天候运行，一旦内存出现故障，造成的损失远高于消费电子产品，因此对颗粒稳定性、一致性以及长期验证都有着更高要求。

多位模组厂人员告诉记者，今年 AI 服务器领域对长鑫颗粒内存条的需求明显增加。深圳一位相关市场人士告诉记者，公司过去主要用美光颗粒，但今年已经明显增加长鑫采购比例，原因是国产化项目需求快速增加。

记者近期走访华强北商家发现，由于长鑫的产量有限，市场需求又存在，在货源紧缺的情况下，长鑫的产品并没有因为国产身份而降价。" 长鑫同容量的产品跟三星差不多价格，甚至更贵。"

供需失衡，是长鑫在跨越消费电子、走向高端数据中心时必须解决的 " 产能与供应链规模 " 考验。

HBM 则是一场更加艰难的攻坚战。目前全球 HBM 市场几乎仍由三星电子、SK 海力士和美光三家企业垄断，国际厂商已经从 HBM3 演进至 HBM4E，并陆续向客户送样新产品，明年 HBM4 的关键量产战也将打响，而长鑫尚未对外公布 HBM 相关计划。

HBM 竞争不只是存储芯片本身的竞争，更是一场涉及先进制程、封装工艺、设备能力以及上下游生态的系统竞争。

在先进制造方面，海外原厂针对 HBM 等前沿领域已使用先进制程，演进到 1c（10nm 级）工艺，例如 SK 海力士的 HBM4E 计划使用 1c 工艺。为了保障工艺，SK 海力士等国际原厂用到 EUV（极紫外光刻）光刻机。

从研发看，长鑫近年来研发投入增长十分迅速，2023 年至 2025 年研发支出分别达到 46.7 亿元、63.4 亿元和 95.9 亿元，研发费用率 51.4%、26.23%、15.52%，保持行业较高水平。但如果放到全球范围比较，研发投入绝对金额仍有不小差距。同期美光研发投入分别为 31.1 亿美元、34.3 亿美元、37.98 亿美元，折合为人民币每年均超 200 亿元。SK 海力士研发投入分别为 4.19 万亿韩元、4.95 万亿韩元、6.73 万亿韩元，折合为人民币每年在 186 亿元 ~298 亿元之间。

专利数量方面，截至 2025 年底，长鑫拥有境内外专利 6972 件。而美光有超 6 万项专利。信息服务网址 howmanypatents 数据则显示，SK 海力士有超 4 万个专利。

就长鑫在 DRAM 领域的优劣势、是否有 HBM 开发计划，长鑫暂未向记者回应。

过去几年，长鑫已经证明自己能够抓住国际存储产业调整带来的窗口期，在手机市场赢得一席之地；但长鑫需要守住的，不只是已经抢下的市场份额，更是与全球龙头同台竞争的能力。想要在全球存储巨头竞赛中站稳，还要看能否跨过服务器和 HBM 这两道门槛，比拼的也将不再是成本优势或国产替代，而是持续创新能力、产业链整合能力以及全球化竞争能力。这场竞争，才刚刚开始。 ( 实习生邓雅文对此文亦有贡献 )

( 本文来自第一财经 )