长鑫科技成立于 2016 年，总部位于安徽合肥，是国内唯一实现 DRAM 存储芯片规模化量产的 IDM（设计—制造—封测垂直整合）企业。

紫金财经 7 月 9 日消息 今日凌晨，国内 DRAM 存储龙头企业长鑫科技集团股份有限公司（简称 " 长鑫科技 "）披露科创板 IPO 招股意向书及《发行安排及初步询价公告》，正式启动发行程序。公司新股网下申购日与网上申购日均为 2026 年 7 月 16 日（T 日）。公司证券简称为 " 长鑫科技 "，证券代码 / 网下申购代码为 "688825"，网上申购代码为 "787825"。

根据公告，本次拟初始公开发行股票约 66.88 亿股，占发行后总股本比例约 10.00%（超额配售选择权行使前），全部为公开发行新股，不设老股转让。发行人授予主承销商中金公司不超过初始发行股份数量 15.00% 的超额配售选择权，若全额行使，发行总股数将扩大至约 76.91 亿股。

长鑫科技此次科创板上市拟募集资金 295 亿元，为 2026 年迄今 A 股市场规模最大 IPO，亦为科创板史上第二大 IPO（仅次于中芯国际），募集资金将投向存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM 存储器技术升级项目及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目，合计总投资 345 亿元。

业绩方面，公司预计 2026 年上半年实现营业收入 1100 亿元至 1200 亿元，同比增长 612.53% 至 677.31%；预计实现归母净利润 500 亿元至 570 亿元，同比增长 2244.03% 至 2544.19%；扣非归母净利润预计 520 亿元至 580 亿元。公司表示，业绩大幅增长主要受益于全球算力需求持续释放、DRAM 供不应求及价格持续上涨。

长鑫科技成立于 2016 年，总部位于安徽合肥，是国内唯一实现 DRAM 存储芯片规模化量产的 IDM（设计—制造—封测垂直整合）企业。公司已实现 DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X 全系列 DRAM 产品量产，按产能及出货量计产能居中国第一、全球第四，2025 年四季度全球 DRAM 市占率约 7.7% — 8%。