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三星已开始量产其最先进存储设备 采用4纳米控制器 读写速度翻倍
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快科技 7 月 8 日消息,据媒体报道,三星电子已正式启动其最先进数据中心存储设备的大规模量产,这款产品将被应用于英伟达即将推出的 Vera Rubin 平台。

该企业级固态硬盘型号为 PM1763,于今年早些时候在英伟达 GTC 大会上首度亮相。

其顺序读取速度峰值可达 28.4GB/s,顺序写入最高达 21GB/s,整体吞吐性能基本达到 PCIe 5.0 旗舰级 SSD 的两倍。容量覆盖 4TB 至 64TB 区间,足以满足大规模 AI 数据集的存储需求。

形态规格方面,PM1763 提供 EDSFF E1.S 和 E3.S 两种尺寸,均完整支持 PCIe 6.0 带宽;而传统 U.2 形态则仅能运行于 PCIe 5.0,高速信号传输的稳定性会受到一定制约。

此前,三星已将该产品与下一代高带宽内存 HBM4 及低功耗内存模组 SOCAMM2 共同展示,作为专为 AI 数据中心打造的综合解决方案之一。

三星在声明中指出,PM1763 采用最新的 V-NAND 闪存芯片和新研发的 4nm 制程控制器,读写性能较前代产品提升逾一倍,有助于显著降低先进处理器和 AI 加速器的数据访问延迟。

散热方面,PM1763 直接接入服务器一体化液冷循环回路,与 CPU、GPU 及内存共用液冷系统,可快速带走主控与闪存芯片持续工作产生的热量。

三星官方进一步阐释了液冷方案的核心价值:其意义不仅在于降低硬件温度,更关键的是避免高温引发的性能骤降。

AI 训练与实时推理均为 7 x 24 小时不间断的高负载场景,任何一次降速都可能拖慢整组服务器集群的运算效率。液冷所带来的持续稳定性能输出,对算力业务的实际增益远超单纯的节能效果。

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责任编辑:鹿角

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