长沙政法频道 2小时前
三星利润暴增难掩隐忧
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三星电子交出了一份利润暴增 19 倍的历史性答卷,却换来股价大跌,导致韩国股市再度触发熔断。这不是业绩不够好,而是市场早已把 " 完美 " 定价在前。89.4 万亿韩元的利润是历史新高,但三星年内股价已涨约 150%,市场早把 " 超预期 " 计入。利好兑现,没有新的惊喜,反而成为获利了结的理由。还有业内人士指出,AI 叙事还在 " 信任修复期 "。一份超预期财报,还没能补上市场对 "AI 需求可持续性 " 的裂痕。

利润超过英伟达

7 月 7 日早间,三星电子公布 2026 年第二季度业绩预告,第二季度销售额 171 万亿韩元,同比增长 129%,预估 169.23 万亿韩元,上年同期为 74.6 万亿韩元;第二季度营业利润 89.4 万亿韩元,同比增长 1810%,预估 84.2 万亿韩元,上年同期为 4.7 万亿韩元。三星电子将于 7 月 30 日发布第二季度财报。

三星电子本季度营业利润,已超过英伟达上季度 535.36 亿美元(约合 82 万亿韩元)的营业利润,使其成为全球季度营业利润最高的公司。此前,三星电子半导体领域业务战略总裁金勇宽在举行的半导体部门管理层会议上曾表示,设备解决方案部今年的净利润有望超过三星电子进入半导体领域 40 年来的总和。

推动三星业绩的核心逻辑在于存储芯片供应的持续紧张。AI 数据中心对高带宽存储(HBM)的旺盛需求促使制造商将产能向高端产品倾斜,由此引发传统 DRAM 和 NAND 存储芯片供给不足,推动价格全面上行。

据汇丰银行数据,今年 4 至 6 月,DRAM 平均售价环比涨幅超过 40%,NAND 价格涨幅则超过 50%。花旗研究的数据与此接近,显示同期 DRAM 和 NAND 均价分别环比上涨 44% 和 53%。

分析师还指出,客户正越来越多地寻求签订较长期的供货协议,这进一步强化了市场对存储价格将维持高位的预期,并有利于三星等具备大规模产能的厂商。英伟达 CEO 黄仁勋及 OpenAI 首席运营官 Brad Lightcap 等高管均曾公开表示,存储芯片供给不足正制约 AI 基础设施扩张的步伐。

分析师预计,这一短缺局面至少将持续至 2027 年,这为三星及竞争对手 SK 海力士和美光科技提供了相当可观的定价能力。值得注意的是,HBM 产能的快速扩张带来了 " 替代效应 "。传统存储芯片的供应随之收紧,不仅影响智能手机、个人电脑等消费电子产品的生产成本,也令企业服务器市场承压。

买预期卖事实

然而,资本市场给出这份财报的回应却是冰冷的抛售。三星电子股价当日开盘即大幅跳水,盘中跌幅一度扩大至 7%。同属半导体阵营的 SK 海力士跌逾 6%,三星电机跌超 8%。

受到两大龙头的股价影响,韩国 KOSPI 指数重挫近 6%,韩国交易所因 KOSPI 200 期货下跌 5% 启动熔断机制,程序化交易暂停 5 分钟。这已是 2026 年以来韩国股市第 6 次触发全市场熔断,该机制实施以来总共仅触发过 11 次。另一套针对程序化交易的 " 边车 " 暂停机制,年内已触发超过 30 次。

分析师将三星股价下跌归因于市场对利润的过高预期,即在创纪录的内存芯片价格刺激下,即使三星按照 5 月份达成的工资协议(该协议将员工工资与营业利润挂钩),拨出资金向半导体工人发放巨额奖金,其利润仍然大幅增长。有分析人士表示,如果没有这些准备金,其营业利润很可能超过 100 万亿韩元。

但 Petra Capital Management 执行合伙人 Albert Yong 指出," 三星的强劲盈利早已在市场的广泛预期之中,并在此前股价连续大涨中得到了充分体现。如今,投资者开始将目光转向更远的地方,他们真正担心的是这场 AI 狂潮的可持续性,以及美国科技巨头是否会放缓在 AI 基础设施上的资本支出 "。

" 利好出尽 " 的走势,对三星而言并不陌生,统计显示,过去八次初步业绩发布中,股价有四次在发布当日或次日收跌。

Allspring Global Investments 投资组合经理 Gary Tan 表示:" 在强劲的内存上行周期中,当数据超出预期时,大部分利好已反映在仓位和预期中。财报可能只是确认了投资者已有的预期,引发获利了结而非进一步上涨。"

韩国股市频繁熔断的背后,是一场更深层的流动性危机。2026 年上半年,KOSPI 指数暴涨逾 100%,高居全球主要股指之首。

高盛在最新报告中警告,韩国股市正处于 " 高权重 + 高杠杆 " 的结构性风险陷阱之中。分析师指出,杠杆 ETF 资金流入、活跃期权交易和散户保证金债务的结合," 创造了一种结构性脆弱性,导致每日价格波动远超基本面所能解释的水平 "。

韩国央行亦公开表示,三星和 SK 海力士的市值与成交额占股市比重超过一半,单一股票杠杆 ETF 投资规模的持续扩张,可能会进一步加剧集中度问题。

涨价可持续性存争议

目前 AI 对高带宽内存的非理性需求,正在全方位挤压传统内存的产能。各大巨头为了优先满足利润率更高的数据中心需求,纷纷将晶圆产能向高级内存倾斜,这直接引发了传统标准 DRAM 和 NAND 闪存的全球性大短缺。

然而,硬币的另一面是,上游存储芯片的疯狂暴利,正在增加下游终端消费业务的成本。作为全球最大的智能手机制造商,三星自身的移动业务正在承受芯片涨价带来的压力。尽管三星和苹果近期已经提高了部分硬件产品的售价,但零部件成本的飙升速度远超终端提价的幅度。分析师普遍预计,三星在今年下半年可能不得不再次启动新一轮的手机全面涨价。

值得注意的是,三星与 SK 海力士近期共同承诺将投资高达 3200 万亿韩元(约合 2.07 万亿美元),用于在韩国本土大举扩张芯片产能。其中,三星计划将巨额投资分阶段在 2026 年至 2040 年之间实施。

存储芯片行业本身存在周期性发展规律。深度科技研究院院长张孝荣表示,内存价格飞涨时企业通常会大规模投建晶圆厂,新建厂房从开工到满产需要 2.5 至 3 年时间。三星和 SK 海力士当下集中释放的资本开支,将在 2028 年至 2029 年形成海量新增供给。一旦 AI 云厂商资本开支增速放缓,供需格局会快速反转,远期价格下行压力无法忽视。

不过,也有机构持乐观态度。美银证券分析师 Simon Woo 团队在最新全球存储技术周报中表示,韩国建厂非但不会终结存储超级周期,反而在相当长时间内不会影响供需格局。在美银看来,新产能最早需 8 至 10 年后方能实质影响全球供给。

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