国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为 " 半导体结构及其制备方法、存储系统 " 的专利，公开号 CN122373330A，申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善相邻晶体管中的控制栅极层易发生耦合的问题。该半导体结构包括：半导体柱、第一栅极层、第二栅极层、电容结构和第一介质层。半导体柱沿第一方向延伸。第一栅极层和第二栅极层分别位于半导体柱沿第二方向的两侧。电容结构与半导体柱沿第一方向的一端连接。第一介质层位于第一栅极层沿第一方向的一端，第一介质层相较于第一栅极层更靠近电容结构，第一介质层内具有第一间隙，第一间隙与第二栅极层在第二方向上有交叠。而第一间隙的介电常数小于第一栅极层的介电常数，则在第一间隙所在的位置，第二栅极层不易与其他导电结构耦合。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于 2016 年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 12469608.0404 万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了 3 家企业，参与招投标项目 1453 次，财产线索方面有商标信息 1026 条，专利信息 6140 条，此外企业还拥有行政许可 1009 个。

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作者：情报员