（来源：芯闻眼）

在当前竞争激烈的先进半导体制程市场中，包括英特尔与三星都正为其下一代先进制程研发新式供电技术，图以差异化的技术实现发展。

据外媒报道，半导体业界消息指出，传统上芯片普遍采用正面供电方式，而近期将电源线移至芯片背面的「背面供电网络」（BSPDN）则被视为新一代标准技术。

特别是英特尔更进一步，考虑在其 Intel 14A2 同时利用正面与背面的混合供电方案。这表明英特尔在新制程竞争中，再次选择了制造难度极高的技术。

报导指出，若采用此结构，将可有效缩短电力传输距离、缓解电压降（IR Drop）问题，并大幅提升整体效能与电力效率。但相对地，这会使制程结构变得极度复杂，制造难度随之飙升，确保良率的压力也会大幅增加。尽管该技术目前仍处于内部评估阶段，但这显示出英特尔正积极思考全新的制程设计方式。

业界分析指出，这并非英特尔首次采取此类激进策略。在之前的 intel 18A 先进制程中，英特尔便计划同时导入新一代晶体管结构 GAA（环绕式闸极）以及背面供电（PowerVia）技术，试图透过抢先竞争对手导入新技术，来快速缩小技术差距。

至于，韩国三星方面也采取了极为相似的发展路线，不仅在业界首创将 GAA 技术应用于 3 纳米制程的量产，更计划在预计 2027 年量产的 2 纳米强化制程「SF2Z」中，正式导入背面供电（BSPDN）技术。这些技术虽然制造门槛极高，却是提升芯片效能与电力效率的关键。

相较之下，市场龙头台积电则采取了「阶段性量产已验证技术」的稳健策略。例如，台积电导入 GAA 技术的时机晚于三星，预计从 2 纳米制程才开始采用。另外，在背面供电技术方面也计划延至 A16 制程才会导入。业界人士分析认为，台积电因为已掌握了庞大的客户基础与极高的市占率，因此能将稳定的良率与量产能力放在首位。而作为追赶者的三星与英特尔，则处于必须承担技术风险以创造差异化的发展 " 优势 "。

半导体业界相关人士表示，在晶圆代工市场中，越是领先的企业，越倾向选择已经过验证的技术。而后进者或是挑战者为了改变市场版图，往往会选择率先引进新技术。虽然新的技术风险极高，但一旦成功就能彻底改变市场评价，这正是三星与英特尔在新一代制程上决定奋力一搏的根本原因。