（来源：财闻）

板块内部分化明显，存储设计方向表现突出。北京君正的超预期业绩有望带动市场对国内存储芯片设计板块的盈利预期上修，为存储芯片周期上行提供业绩层面的有力佐证。

7 月 13 日，北京君正（300223.SZ）发布 2026 年上半年业绩预告，预计净利润同比增长 431% 至 531%，主要受益于存储芯片需求旺盛，DRAM 产品售价涨幅较大。这一业绩预告是当前存储芯片行业高景气度的直接验证，尤其是利基型 DRAM 市场的供需紧张格局持续。7 月 14 日早盘，北京君正高开报 199.84 元，较前一日收盘价 190.17 元上涨 5.1%；兆易创新（603986.SH）报 561.53 元，涨 1.9%；江波龙（301308.SZ）报 526.38 元，涨 0.8%。芯片 ETF 易方达（516350）报 2.04 元，较前一日下跌 1.2%，板块内部分化明显，存储设计方向表现突出。北京君正的超预期业绩有望带动市场对国内存储芯片设计板块的盈利预期上修，为存储芯片周期上行提供业绩层面的有力佐证。

一、利基型 DRAM 供需紧张持续，北京君正业绩弹性充分释放

北京君正是国内利基型 DRAM 和 SRAM 领域的代表性企业，产品覆盖 DDR2、DDR3、DDR4 等利基型 DRAM 以及 Mobile（BEEP.US） DRAM 等品类，广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备等领域。2026 年上半年净利润同比增长 431% 至 531%，核心驱动力（920275.BJ）来自 DRAM 产品售价的显著上涨。利基型 DRAM 市场与主流 DRAM 市场存在周期错位，当三星、海力士等大厂将产能转向 HBM 和 DDR5 时，利基型 DRAM 的供给反而收紧，形成结构性涨价。北京君正在这一细分领域的市场份额和产品布局使其充分受益于本轮涨价周期，下半年若存储价格维持高位，全年业绩有望进一步超预期。

二、存储芯片周期上行从主流向利基传导，设计环节业绩弹性最大

本轮存储芯片周期上行始于 2025 年下半年，以 HBM 和 DDR5 为代表的高端产品率先涨价，随后逐步传导至 DDR4、DDR3 等利基型产品。北京君正业绩预告的亮眼表现，验证了涨价已从主流产品向利基型产品有效传导。在存储芯片产业链中，设计环节的业绩弹性最大，因为 Fabless 模式下价格上行直接转化为利润增量，而晶圆代工成本相对刚性。兆易创新在 NOR Flash 和 MCU 领域的布局、江波龙在存储模组和品牌 SSD 的积累、佰维存储（688525.SH）在嵌入式存储和固态硬盘的出货，均有望在存储价格上行周期中实现不同程度的业绩改善。

三、汽车电子与 AI 终端双轮驱动，利基型存储需求结构持续优化

北京君正的存储芯片在汽车电子领域有较深布局，车规级 DRAM 和 SRAM 产品已进入多家 Tier1 供应商体系。随着智能座舱、自动驾驶域控制器等汽车电子化率的提升，单车存储用量持续增长，为利基型 DRAM 提供了结构性增量需求。同时，AI 终端（AI PC、AI 手机、智能穿戴）的放量也推动了对低功耗 DRAM 和 NOR Flash 的需求，存储芯片的需求结构正在从传统的消费电子单轮驱动，转向汽车电子和 AI 终端双轮驱动。这一需求结构的优化有助于延长存储芯片周期的上行持续时间，降低周期性波动风险。

四、核心标的逐一拆解

北京君正：国内利基型 DRAM 龙头，产品覆盖 DDR2/DDR3/DDR4、Mobile DRAM、SRAM 等，在汽车电子和工业控制领域市场份额领先。公司采用 Fabless 模式，与全球主要晶圆代工厂保持稳定合作。2026 年上半年净利润预增 431% 至 531%，DRAM 涨价是核心驱动力。7 月 14 日早盘报 199.84 元，较前一日 190.17 元上涨 5.09%。

兆易创新：国内 NOR Flash 和 MCU 双龙头，NOR Flash 全球市场份额排名前列，产品覆盖从低容量到高容量的全系列。公司 DRAM 业务通过合资方式布局，已进入利基型 DRAM 市场。存储芯片价格上行直接增厚 NOR Flash 和 DRAM 业务的利润。7 月 14 日早盘报 561.53 元，较前一日 550.8 元上涨 1.95%。

江波龙：国内存储模组和品牌 SSD 龙头，旗下拥有雷克沙（Lexar）等消费级存储品牌，产品覆盖嵌入式存储、固态硬盘、移动存储和内存条四大产品线。存储芯片涨价周期中，模组环节同步受益于价格上行和库存增值。7 月 14 日早盘报 526.38 元，较前一日 522.04 元上涨 0.83%。

佰维存储：国内嵌入式存储和固态硬盘领域的重要企业，产品广泛应用于智能手机、平板电脑、PC 等消费电子终端，同时在工业级和车规级存储领域有所布局。公司封装测试能力较为完整，受益于存储芯片量价齐升。7 月 14 日早盘报 340.54 元，较前一日 339.49 元上涨 0.31%。

澜起科技（688008.SH）：全球内存接口芯片龙头，DDR5 世代内存接口芯片（RCD、MDB）市场份额全球领先，PCIe Retimer 芯片已进入量产阶段。内存接口芯片需求与 DRAM 出货量高度正相关，存储芯片周期上行直接拉动公司产品出货量。7 月 14 日早盘报 253.98 元，较前一日 252.79 元上涨 0.47%。

五、关注思路

北京君正业绩预告有三重产业逻辑值得关注：一是利基型 DRAM 涨价已从主流产品有效传导，验证了存储芯片周期上行的广度和深度，利好国内存储芯片设计板块的整体盈利预期；二是汽车电子和 AI 终端为利基型存储提供了结构性增量需求，需求结构优化有助于延长周期上行时间；三是存储芯片设计环节的业绩弹性最大，Fabless 模式在价格上行周期中利润释放最为充分。

信创 ETF 易方达（159540）跟踪国证信息技术创新主题指数，覆盖信创产业链中的芯片、操作系统、数据库、中间件等环节，存储芯片为信创基础设施的重要组成部分，最新规模约 3 亿元。7 月 14 日早盘报 2.3 元，较前一日 2.33 元下跌 1.37%。芯片 ETF 易方达（516350）跟踪中证芯片产业指数，覆盖半导体设计、制造、设备、封测等全产业链环节，最新规模约 28.09 亿元，7 月 14 日早盘报 2.04 元，较前一日 2.06 元下跌 1.2%。北京君正业绩对存储芯片设计环节的催化更为直接，芯片 ETF 在半导体全产业链中的覆盖更为均衡，信创 ETF 在国产替代逻辑上形成补充映射。