快科技 7 月 13 日消息，据媒体报道，AI 技术热潮催生了对尖端芯片的旺盛需求，然而全球高端芯片供应仍高度集中于少数几家企业的技术和产能之上。

美国《福布斯》近期指出，随着新兴技术不断涌现，全球尖端芯片制造方式有望在 2030 年迎来深刻变革。尽管 EUV 光刻仍是当前主流工艺，但它并非在硅片上刻画晶体管的唯一路径。一批面向未来的光刻新技术正蓄势待发，有望替代 EUV，重塑芯片制造格局。

其中，原子光刻另辟蹊径，放弃传统 " 光 " 源，转而使用原子束在硅片上蚀刻极为微小的图案。若研发成功，可将特征尺寸在 EUV 基础上再缩小一至两个数量级。

另一条备受关注的路线是 X 射线光刻，它依然沿用 " 光 " 的范式，却将其推向极致—— X 射线波长可低于 1 纳米，比极紫外光更短、能量更强，理论上能实现更精细的晶体管刻画。不过，迄今为止，尚无人能证明 X 射线光刻机能够在足够低的成本和足够高的产量下实现商业化落地。

在探索者中，xLight 公司选择了与 Substrate 截然不同的策略：不追求颠覆现有生态，而是开发能够融入并兼容 ASML 等现有设备架构的技术，试图以渐进方式参与变革。

来自中国的力量同样在向 EUV 的统治地位发起挑战。上个月，华为宣布研发出一种新型半导体架构，声称无需依赖极紫外光刻即可制造尖端 AI 芯片，为全球光刻技术竞争增添了新的变量。

【本文结束】如需转载请务必注明出处：快科技

责任编辑：鹿角