晶合集成申请半导体结构制备方法专利，降低掩膜版的使用数量和使用成本

市场资讯 2026-07-15 09:12:24

国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为 " 半导体结构的制备方法及半导体结构 " 的专利，公开号 CN122396222A，申请日期为 2026 年 6 月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，涉及半导体制备技术领域。所述方法包括：在晶圆上形成第一光刻胶层；通过掩膜版对第一光刻胶层进行第一曝光和第一显影，得到第一光刻图形层；基于第一光刻图形层进行第一离子注入，并在注入完成后去除第一光刻图形层；在晶圆上形成第二光刻胶层；通过掩膜版对第二光刻胶层进行第二曝光和第二显影，得到第二光刻图形层；基于第二光刻图形层进行第二离子注入，并在注入完成后去除第二光刻图形层。本申请可以利用同一个掩膜版来实现对不同关键尺寸的区域的离子注入，从而降低掩膜版的使用数量和使用成本。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于 2015 年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 200759.1697 万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了 13 家企业，参与招投标项目 647 次，财产线索方面有商标信息 54 条，专利信息 1732 条，此外企业还拥有行政许可 29 个。

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