【CNMO 科技消息】7 月 14 日，市场研究机构 Omdia 发布的数据显示，2026 年全球高带宽存储器（HBM）的产量预计将同比增长103%，实现翻倍以上的增长。三星电子、SK 海力士与美光三大内存巨头正在主导这一轮产能扩张，但即便如此，HBM 供不应求的局面仍将持续。

三星与海力士

半导体行业通常以存储容量的最小单位 " 比特 "（bit）作为产量计算标准。按此口径，全球 HBM 产量在一年内增长超过一倍。HBM 在 DRAM 总产量中的比特占比预计将从 2025 年的12%上升至 2026 年的15%，提升 3 个百分点。另有预测显示，到 2027 年这一比例有望进一步扩大至30%。

三大内存厂商均已启动大规模 HBM 产能投资与扩建。三星电子计划 2026 年在设备投资与研发上投入超过110 万亿韩元，较上年增长约 22%。SK 海力士的设备投资也将实现两位数增长。美光虽在三大厂商中 HBM 产能最小，但其设备投资计划较上年大幅增长超过 90%。业界预测，2026 年内存企业在设备投资上的总规模将达到647 亿美元（约 97 万亿韩元）。

然而，即便产能快速扩张，DRAM 的需求满足率预计今年仍将维持在1.0 倍以下，供应短缺状态难以根本缓解。

HBM 供应持续紧张的根本原因在于其生产工艺的特殊性。HBM 由多个 DRAM 芯片垂直堆叠而成，属于高附加值存储器产品。单颗 HBM 芯片的尺寸比普通 DRAM 芯片大两倍以上，在相同存储容量下，HBM 消耗的晶圆面积和洁净室空间至少是普通 DRAM 的三倍。

与此同时，AI 推理负载的持续增长正在推高服务器对 HBM 的需求。据行业数据，单台服务器的平均 DRAM 搭载量预计将从 2025 年的1032GB增至 2026 年的1432GB，增幅约 39%。

在价格端，内存三巨头目前正以长期供应协议（LTA）方式向英伟达等主要客户供应 HBM，提前锁定未来 1 至 2 年的供货量与价格。这种定价机制导致近期通用 DRAM 价格因市场供需紧张而快速攀升，一度出现通用 DRAM 价格反超 HBM 的 " 价格倒挂 " 现象。

进入 2026 年下半年，通用 DRAM 价格的上涨势头已有所放缓。据 DRAMeXchange 数据，5 月 PC 用通用 DRAM（DDR4 8Gb 1G × 8）平均固定交易价格为21 美元，环比仅上涨 5%，涨幅较上月的 10% 收窄了一半。

有证券研究员分析指出：" 通用 DRAM 和 NAND 的价格涨幅正在逐步放缓，预计明年将回落至个位数水平 "，" 供应短缺本身将持续到明年，但通用 DRAM 的利润率已接近 90%，内存厂商的重心正从单纯提价转向扩大与客户的长期供应合作 "。对于 HBM，该研究员表示：" 由于去年年度供应合同中价格已被锁定，目前 HBM 处于相对较低的价格区间。预计明年初将迎来一轮价格上涨，此后将保持平稳走势 "。

三星工厂与海力士工厂

在三大厂商中，三星电子尤为值得关注。作为去年 HBM 市场的后来者，三星预计今年 HBM 销售额将较上年增长三倍以上。三星已在第六代 HBM4 产品上率先向主要客户实现出货，市场份额正在迅速扩大。

三星电子存储器战略营销室副社长金在俊在上一季度业绩电话会议上表示："HBM4 自今年 2 月全球首次量产出货以来，正按计划稳步爬坡，下半年供应量将大幅扩大 "，" 预计从今年第三季度起，HBM4 将占三星 HBM 总销售额的一半以上，全年 HBM 销售额中 HBM4 的占比也将过半 "。

受 HBM 市场高增长预期的推动，多家机构已上调 2026 年内存行业整体营收预测。市场研究机构 TechInsights 预计，2026 年全球内存销售额将较上年实现显著增长。

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