财联社 7 月 15 日讯（编辑 周子意）据业内人士向媒体爆料，三星电子计划在其器兴半导体园区建设一座新的 DRAM 制造工厂，规划月产能达 10 万片晶圆，项目总投资规模将达数十万亿韩元。此举旨在抓住人工智能存储器需求激增的机遇窗口。

三星电子器兴园区位于首尔南部，自 1983 年边开始运营，是韩国运营时间最长的半导体设施之一。1992 年，该园区成为全球首个 64Mb 动态随机存储器（DRAM）的诞生之地，标志着三星电子在半导体领域主导地位的开始。

近年来，该园区主要致力于成熟工艺节点的生产，其能力已达到 8 纳米工艺。

据称，该地块原本规划用于建设研发中心，此番调整为生产设施，市场普遍解读为三星电子为应对人工智能基础设施投资热潮下持续攀升的存储芯片需求所做出的产能布局调整。

这一拟建的 DRAM 晶圆厂规划月产能达 10 万片晶圆，项目总投资规模预计将达数十万亿韩元。据称，该项目最快可能于 2026 年第三季度正式动工。

受此消息影响，三星电子周三（15 日）股价大幅上涨了超 6%。

据了解，2022 年，三星在器兴园区内动工兴建了一个名为 NRD-K 的大型研发中心，该中心占地约 10.9 万平方米，投资约 20 万亿韩元，预计在 2028 年至 2030 年间完全建成。

该研发中心的一条研发专用生产线已于 2025 年中期投入运营，专注于新一代存储器和系统半导体的研发。此次计划新建的 DRAM 工厂，则是在这一研发中心之外，于园区内另辟地块建设的大规模生产设施。

从更宏观的视角来看，三星电子正同时在多个基地推进产能扩张。其平泽巨型园区目前是 HBM 生产的核心基地，三星也在全罗南道的光州推进两座先进半导体晶圆厂的建设，总投资达 400 万亿韩元。此外，三星还计划将京畿道龙仁半导体集群内首座晶圆厂的投产时间提前至 2029 年。

在 HBM 领域，三星电子正试图追赶目前在 HBM 领域占据优势的 SK 海力士。三星电子近期也在其平泽 P4 工厂部署了一条月产能 10 万片晶圆的新产线，可用于生产第六代 HBM。