来源:EETOP

图注:2024 年 4 月,英特尔在俄勒冈州希尔斯伯勒(Hillsboro)Fab D1X 洁净室完成高数值孔径极紫外(High NA EUV)光刻设备安装并开始校准。这台重 165 吨的 High NA EUV 设备由 ASML 制造,是全球首台商用同类光刻系统。该设备将帮助英特尔晶圆代工(Intel Foundry)继续推进摩尔定律,为客户制造晶体管更小、性能更强的芯片。(图片来源:英特尔公司)
当地时间 7 月 15 日,ASML 官方发布重磅公告,英特尔晶圆代工业务实现行业里程碑:依托 ASML High NA EUV(高数值孔径 EUV)光刻设备,英特尔 18A 工艺已用于批量生产第三代酷睿 Ultra(代号 Panther Lake)处理器,成为全球第一家使用 High NA EUV 设备量产出货逻辑芯片的厂商。
这批酷睿 Ultra 3 处理器基于英特尔 18A 工艺打造,芯片关键金属层均采用 High NA EUV 完成图形化制程。大批量流片生产过程中产出的海量工艺数据,将助力 ASML 与英特尔持续优化设备稼动率、迭代工艺配方,为全行业大规模落地 High NA EUV 打下坚实基础,充分释放该设备在晶体管密度、光刻分辨率上的核心优势。
坐落于俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔工厂,已完成 18A 工艺特定薄膜层的双产线量产认证,搭载 High NA EUV 设备制造的晶圆现已批量交付客户,良率表现对标当前成熟的低 NA EUV 设备平台,量产稳定性得到验证。
英特尔同时也是全球首家完成第二代量产型 High NA EUV 设备 TWINSCAN EXE:5200B 整机验收的企业。该机型在初代原型机 EXE:5000 基础上全面升级,晶圆吞吐效率、套刻精度、EUV 光源性能均大幅优化,完全适配大规模商业化制造需求。
英特尔晶圆代工执行副总裁兼总经理 Naga Chandrasekaran 表示:" 这一里程碑是英特尔与 ASML 多年深度技术协同的成果,也实实在在证明 High NA EUV 能够稳定融入主流先进芯片大规模制造流程。我们完成 High NA EUV 在 18A 工艺特定产品层的量产认证,既能依托现有光刻设备产能提升当下芯片产出,双方也将持续联合打磨这项技术,为下一代工艺节点带来前所未有的晶体管密度、芯片性能与制造灵活性。"
最重要的一点是,英特尔率先把 High NA EUV 用到了量产,而台积电则着眼于大约 2029 年左右采用 high-NA EUV。Christophe Fouquet(ASML 总裁兼首席执行官)表示,这项技术对先进芯片制造中实现精确图形化至关重要;更小、更密的图形将进一步加速 AI 及其他新兴技术。
High NA EUV:先进制程的核心光刻利器
现行主流低 NA EUV 设备数值孔径仅 0.33,而 High NA EUV 设备数值孔径达到 0.55。依据光学瑞利判据,更高的数值孔径可带来约 67% 的光刻分辨率提升。
对于 2nm、1nm 级别的尖端工艺而言,分辨率提升能大幅减少多层图形化工艺步骤,有效降低制造复杂度、缩短生产周期,同时减小工艺偏差。传统低 NA 设备需要多次多重曝光才能实现的超细线路,如今单道曝光即可完成,从根源减少制程波动带来的良率损耗。
以英特尔 18A 产线为例,2024 年英特尔 D1X 工厂率先导入初代原型机 EXE:5000 开展工艺调试,后续部署量产优化版 EXE:5200B 用于 Panther Lake 芯片大规模生产。目前两条产线同步完成工艺认证,量产良率与传统 EUV 平台持平,标志 High NA EUV 正式脱离实验室阶段,进入稳定商用周期。
未来,英特尔与 ASML 将持续深化联合开发,持续拓宽 High NA EUV 在各代先进工艺节点的应用范围,针对不同芯片客户的需求定制灵活落地路线,加速全行业先进制程迭代。
High NA EUV vs 传统 0.33NA EUV 完整价格对比(2026 最新行业口径)
1. 传统标准 EUV(Low NA,0.33NA,代表机型 NXE:4000F/NXE:3800E)
2. High NA EUV(高数值孔径 0.55NA,量产机型 EXE:5200B)
行业统一报价区间:3.5 亿– 4 亿美元(约 24.5 – 28 亿元人民币)麻省理工科 ...
倍数关系:单价是传统 EUV 的 1.8~2 倍
参考案例:IMEC、英特尔采购价约 4 亿美元 / 台;行业平均口径 3.5 亿欧元(≈ 27 亿人民币)
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