ASML 宣布，英特尔正在 Intel   18A 工艺上采用 High-NA EUV 光刻技术，生产部分代号 "Panther   Lake" 的第三代酷睿 Ultra 系列处理器，成为了业界首个采用 High-NA   EUV 光刻技术大规模生产逻辑芯片的企业。目前英特尔位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的 Intel 18A 生产线已完成 High-NA   EUV 双重认证，良品率达到了现有 NXE EUV 平台的水平。

ASML 表示，过去数十年里，与英特尔一直保持紧密合作推动光刻技术的发展，并支持半导体的持续扩展。High-NA   EUV 是极紫外光刻技术发展历程里非常重要的下一步，旨在为先进芯片制造提供更精确的图案化能力。未来双方将在 High-NA   EUV 技术准备方面继续展开密切合作，并根据客户需求灵活将其整合到未来制程节点中。

2023 年末，ASML 向英特尔交付了首台 High-NA   EUV 光刻机，型号为 TWINSCAN EXE:5000 的系统。英特尔将其作为试验机，于 2024 年 4 月在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的 Fab   D1X 完成安装。提供 0.55 数值孔径，与此前配备 0.33 数值孔径透镜的 EUV 系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。

去年末，英特尔安装了新的 TWINSCAN EXE:5200B 系统，属于第二代 High-NA EUV，是目前全球最先进的光刻机。新系统还提升了套刻精度，达到了 0.7nm，这是建立在英特尔之前一年多对 High-NA EUV 光刻机使用经验之上。

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