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机构:预测2030年全球DRAM缺口达28.7EB 存储芯片市场或迈入长期供需紧张周期
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2026 年 07 月 16 日 10:42:24

机构:预测 2030 年全球 DRAM 缺口达 28.7EB 存储芯片市场或迈入长期供需紧张周期

《科创板日报》16 日讯,市场研究机构 Citrini Research 最新预测,到 2030 年,全球 DRAM 市场仍将出现大规模供应缺口,规模预计达 28.7EB,约占当年总需求的 18%,对比今年全球总产能约 40EB。根据 Citrini 的研究员 Zephyr 分享的数据,2030 年全球 DRAM ( 含 HBM ) 需求预计达 157.5EB,供应能力仅约 128.8EB;其中普通 DRAM 将是最大瓶颈,预估供应约每年 91EB,需求却高达 120EB,缺口比例将从目前的 18% 扩大至 25% 左右。报告强调,即便三星、SK 海力士、美光及中国厂商持续扩产,新增产能仍可能被飞涨的 AI 需求快速吸收。造成供需失衡的核心在于 AI 基础设施爆发,因大模型训练推理、HBM 成为 AI 加速器核心,连带推升传统服务器 DRAM 需求。在紧平衡下,DRAM 平均售价 ( ASP ) 可能长期维持高位,预计落在每 Gb1.5-2 美元,伺服器、PC 及消费电子存储芯片成本将持续承压。

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