长鑫科技（CXMT）核心发展时间轴

年份	关键节点	核心事件说明
2016 年	立项与集团成立	5 月敲定合肥 "506 项目"；6 月 13 日长鑫科技集团（曾用名睿力集成）注册成立，定位 DRAM 国产化破局。
2017 年	基地建设启动	3 月合肥 12 英寸 DRAM 基地一期开工；11 月 16 日长鑫存储作为运营主体正式成立。
2018 年	厂房落成与人事归位	1 月厂房建成设备搬入，7 月验证投片试产 DDR4；朱一明辞兆易创新总经理，全职出任长鑫董事长并立 " 盈利前不领薪 " 军令状。
2019 年	从 0 到 1 量产突破	9 月在世界制造业大会宣布 8Gb DDR4 量产，终结大陆无自主 DRAM 历史；获奇梦达等专利许可构筑护城河，11 月拿下首笔商用订单。
2020 年	架构整合与异地扩产	5 月长鑫科技将长鑫存储收为全资子公司；6 月启动北京 DRAM 项目一期，引入大基金二期等资本。
2022 年	逆周期布局	全球存储寒冬中逆势扩产，合肥 / 北京基地并进；完成 C 轮等融资，引入阿里、险资等，估值破千亿。
2023 年	高端产品落地	DDR4/LPDDR4X 大规模量产；11 月正式推出LPDDR5，补齐高端移动端存储矩阵。
2024 年	跳代聚焦与减亏	3 月完成 108 亿元战略融资（投前估值约 1400 亿）；全面转向 DDR5/LPDDR5X/HBM 等高端算力赛道，停产低端 DDR4，亏损收窄至 71.45 亿元。
2025 年	首次全年盈利	受益 AI 超级周期，营收约 618 亿元，归母净利润 18.75 亿元首次扭亏；6 月完成 Pre-IPO 轮（估值约 1584 亿），12 月 30 日提交科创板 IPO 申请。
2026 年	资本化冲刺	5 月 27 日IPO 过会，6 月 12 日获证监会注册生效；7 月 16 日正式开启申购，迈向 " 中国存储第一股 "

第一卷【缘】· 筹谋纪（2005 — 2016）· 长鑫科技的前世

朱一明的芯片梦

长鑫科技的故事，要从一个人说起——朱一明。

朱一明 1972 年生于江苏盐城阜宁县一个普通工薪家庭，从小就是学霸。他在清华大学读完本科和硕士后，又到美国纽约州立大学石溪分校攻读物理学和电子工程双硕士。毕业后，他留在硅谷工作，积累了丰富的技术与管理经验。

2005 年，朱一明辞去硅谷的高薪职位，毅然回国创业，创立了芯技佳易（后更名为兆易创新），专注于存储器芯片的研发。这就是后来市值千亿的兆易创新的前身。

兆易创新主攻的是一种叫 NOR Flash 的利基型存储芯片，虽然市场不大，但在全球做到了领先位置。2012 年，兆易创新已成为中国大陆最大的 NOR Flash 设计企业。2016 年，兆易创新在上交所上市，募资 5.82 亿元。

但朱一明的野心远不止于此。他深知，DRAM（动态随机存取存储器）才是存储芯片领域的 " 皇冠 "，市场规模是 NOR Flash 的几十倍，但也是最难啃的骨头。DRAM 是电脑、手机的 " 工作内存 "，负责临时存储 CPU 正在处理的数据，技术门槛极高、资金投入巨大、研发周期漫长。

当时全球 DRAM 市场几乎被三星、SK 海力士、美光三家企业垄断，中国每年要进口近 900 亿美元的存储芯片，几乎 100% 依赖进口。

朱一明最初想走捷径——通过收购北京矽成半导体进军 DRAM 领域，但最终未能如愿。这次失败反而坚定了他自主创办 DRAM 工厂的决心。

第二卷【起】· 合肥纪（2016 — 2019）丙申之年，合肥立誓，破局之始

没人敢接的梦想，合肥接了

当朱一明说出 " 启动资金每年至少 100 亿 " 时，所有社会资本都望而却步。DRAM 是个无底洞——太烧钱、周期太长、国内技术几乎是空白。

关键时刻，合肥市政府带着魄力与资金入场了。

那时候的合肥，已经因为投资京东方而声名鹊起，被称为 " 中国最牛风投城市 "。合肥正在谋求产业转型升级，提出打造 "IC 之都 " 的战略目标。得知朱一明有进军 DRAM 的想法后，合肥火速与其签下共建协议——政府出钱，企业出人出力。

2016 年 5 月，朱一明与合肥市政府达成协议，双方联合创立长鑫科技。6 月 13 日，长鑫科技的前身正式成立（曾用名睿力集成），定位非常明确：专注于 DRAM 芯片的设计、研发、生产和销售。

2017 年 3 月，长鑫存储项目正式开工。合肥市政府承担了四分之三的一期建设资金，朱一明安排兆易创新投入了剩余四分之一。仅用10 个月，厂房和相关设备建设安装便全部完工，速度之快令人咋舌。

2017 年 10 月，兆易创新与合肥产投签署为期 5 年的合作协议，计划在合肥经济技术开发区联合开展 19nm 制程的 12 英寸晶圆存储器研发项目，项目预算约 180 亿元。

2018 年，合肥基地一期厂房建设完成，开始设备搬入。这一年，朱一明做出了一个让资本市场哗然的决定：辞去兆易创新总经理职务，全职出任长鑫科技董事长兼 CEO。他立下军令状——" 不盈利，不领薪 "。

第三卷【承】· 破茧纪（2019 — 2023） 卧薪尝胆，从零到一，跳代研发，逆风扩土

从 0 到 1：中国大陆 DRAM 的第一次

长鑫科技的技术突破，除了自身积累，还有一个关键转折——从已破产的德国 DRAM 巨头奇梦达（Qimonda）手中拿到了 1000 多万份技术文件和 2.8TB 的数据。朱一明带领团队在这些 " 技术遗产 " 的基础上重新消化、自研，最终规避了美系专利，成功实现了国产 DRAM 从 0 到 1 的突破。

2019 年 7 月，公司验证投片，成功试产 8Gb DDR4 工程样品。

2019 年 9 月，长鑫存储的 DDR4 规格 DRAM 芯片正式投产，实现了中国大陆在该领域的" 从 0 到 1" 突破。这是中国半导体产业发展史上浓墨重彩的一笔。

2019 年 12 月，长鑫存储与 WiLAN 公司合资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议，获得大量奇梦达 DRAM 技术专利的实施许可，进一步完善了知识产权组合。

此后，长鑫存储持续加大研发投入，不断推出创新产品：

2023 年 11 月，公司首次推出LPDDR5 系列DRAM 产品，包括 12GB 的 LPDDR5 颗粒、POP 封装的 12GB LPDDR5 芯片及 DSC 封装的 6GB LPDDR5 芯片。其 12GB 版本 LPDDR5 先后在小米等国产品牌上完成机型验证。这标志着长鑫存储在高端 DRAM 市场的进一步拓展。

第四卷【合】· 崛起纪（2024 — 2026）甲辰至丙午 · 算力风口，登堂入室

从追赶者到全球第四

2024 年，长鑫存储推出自主研发的低成本 DDR3/DDR4 产品，凭借性价比优势迅速抢占市场份额，有力冲击了 DRAM 市场原有格局，迫使国际巨头加快向 DDR5 和 HBM 转型。到 2024 年底，金百达与光威基于长鑫存储的 CXMT G4 DRAM，成功推出中国首批 DDR5 内存模块。

长鑫存储的工艺也在快速追赶。19nm 到 18.5nm 看似只差 0.5，实际上差了 3-4 代。18.5nm 工艺可以对标业界 1z 技术节点，与最先进的 1b 工艺只差两代。在没有 EUV 光刻机的情况下，长鑫工厂已成为大陆最先进的存储器半导体工厂。

2025 年 7 月 7 日，长鑫存储正式启动科创板 IPO 辅导，中金公司、中信建投担任保荐机构。投前估值已达1508 亿元，跻身中国独角兽企业前十。

2026 年 5 月 27 日，上交所一纸公告，宣告长鑫科技科创板 IPO 成功过会。295 亿元的募资规模，是 2026 年开年以来 A 股最大规模的 IPO，也成为仅次于中芯国际的科创板第二大 IPO。

截至 2026 年 7 月 19 日，长鑫科技（688825）发行价确定为8.66 元 / 股，发行后静态总市值约5792 亿元，未行使超额配售选择权前募资总额约 579.19 亿元，全额行使绿鞋后募资可达 666.07 亿元，是 2026 年 A 股最大规模 IPO，募资额超越中芯国际跻身科创板历史第一。

根据 Omdia 数据，按照产能和出货量统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的 DRAM 厂商，全球市场份额提升至 7.67%，成功打破了海外长期垄断格局。

长鑫科技的客户已覆盖阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo 等行业核心客户，产品广泛应用于 AI 服务器、个人电脑、智能手机、新能源汽车、工业控制等领域。

第五卷 · 未来纪（2026 —）

星辰大海，前路漫漫

长鑫科技正在加快技术迭代。据行业消息，公司计划在 2026 年上半年全面终止服务器和 PC 用 DDR4 产品供货，转而将资源集中于 DDR5 及高带宽存储器（HBM）的研发与量产。HBM 是 AI 芯片的 " 黄金搭档 "，目前全球市场由三星、SK 海力士垄断。若长鑫成功量产 HBM，将打破韩企在高端存储领域的绝对控制。

公司目前拥有 3 座 12 英寸 DRAM 晶圆制造基地（合肥、北京），2022 年至 2025 年 9 月累计营收达 736.36 亿元，其中 2022 年至 2024 年主营业务收入复合增长率达 72.04%。2022 年至 2025 年上半年，累计研发投入 188.67 亿元，占累计营业收入的 33.11%。

2025 年下半年开始，AI 算力需求引爆了存储芯片的超级周期，DRAM 价格持续暴涨。2026 年第一季度，全公司净利润达 330.12 亿元。这个数字中，很难划分究竟有多少来自周期的赠礼，有多少是企业的沉淀。

史臣曰

长鑫科技之兴，起于一人之执念，成于一城之魄力。观长鑫之兴，非独一企之勇，实乃" 国资托底、专利避险、跳代突围、逆周期博弈 "四策并用之果。DRAM 之业，本为资本与技术之双重绝壁，常人避之不及。合肥以长期主义之定力，养此十年不鸣之鸟 .

朱一明以二十年之功，以工程师之执拗，行军令状之孤注。从 NOR Flash 到 DRAM，从设计到制造，一步步填补了中国存储芯片的空白。合肥市政府以 " 风投城市 " 之胆识，承担百亿级风险，押注一个没人敢接的梦想。两者合力，终使中国大陆在 DRAM 领域实现了从 0 到 1、从 1 到全球第四的跨越。

DRAM 被称为 " 半导体产业的明珠 "，全球 90% 以上的市场长期被三星、SK 海力士、美光三家垄断。长鑫科技的崛起，不仅是一家企业的成功，更是中国半导体产业国产替代战略的关键一役。从每年进口近 900 亿美元到自主量产，从完全依赖国外到全球第四，这条路走了近十年。

然而，前路依然漫长。制程工艺与国际最先进水平仍有差距，HBM 等高端产品尚在研发中，专利壁垒高悬头顶，国际竞争日趋激烈。

凡欲破垄断之局者，必先有吞亏之肚量，后有抓 AI 周期之敏锐，长鑫一案，足可为后世产业突围之鉴。长鑫科技的 IPO，不是终点，而是新征程的起点。

正如朱一明所言："想都是问题，干才有答案。谁把东西做出来、量产并赚钱才是成功。"