中国 DRAM 龙头长鑫科技募 579 亿成科创板最大 IPO，7 月 27 日正式挂牌

长鑫科技集团股份有限公司，作为中国唯一实现 DRAM 规模化量产的芯片企业，于 2026 年 7 月 16 日完成科创板 IPO 网上网下申购，预计 7 月 27 日正式挂牌上市，本次 IPO 募资总额达 579.19 亿元，成为科创板史上最大规模 IPO。

从 2025 年 7 月启动上市辅导，到 2026 年 6 月获得证监会注册批文，长鑫科技仅用 11 个月就完成了从辅导备案到注册的全流程。2026 年 7 月 13 日确定发行价为 8.66 元 / 股，7 月 17 日公布中签率与配号，7 月 20 日完成缴款，目前已进入上市前的最后准备阶段。

本次 IPO 吸引了 36 家保险机构合计认购 60.65 亿元，占公开发行规模的 10% 以上，其中人保财险、中国人寿等 4 家保险公司参与战略配售，获配金额均约 1 亿元，锁定期 18 个月。市场普遍认为，长鑫科技上市后将进一步巩固其中国 DRAM 龙头地位，加速国产替代进程。

为什么长鑫科技能成为科创板史上最大 IPO？

长鑫科技本次 IPO 募资 579.19 亿元，超越中芯国际成为科创板最大 IPO，核心原因在于其作为国产 DRAM 唯一规模化量产企业的战略价值，以及当前全球存储芯片市场的上行周期红利。

首先，DRAM 芯片是信息产业的核心基石，长期被三星、SK 海力士、美光三大巨头垄断，合计市场份额超过 90%。长鑫科技是近 20 年来全球唯一成功进入该领域的新玩家，2026 年 Q1 按销售额计市占率达 7.7%，按出货量计达 8%-9%，成为全球第四大 DRAM 供应商，其上市被视为国产存储芯片打破海外垄断的里程碑事件。

其次，受益于 AI 算力爆发带来的存储需求增长，2026 年全球 DRAM 市场规模预计突破 1500 亿美元，同比增长 45%。长鑫科技 2026 年 Q1 实现营业收入 508 亿元，扣非后净利润 263 亿元，同比增速分别达 719% 和 1993%，业绩爆发式增长使其具备支撑大规模募资的基本面。

此外，政策支持也是重要因素。作为国家 " 十四五 " 规划重点扶持的半导体企业，长鑫科技的 IPO 得到了监管层的快速推进，从科创板申报受理到过会仅用 5 个月时间。同时，其募资将全部投向 12 英寸 DRAM 晶圆产线升级、HBM 与车规存储技术研发等国产替代项目，符合国家产业政策导向。

长鑫科技的技术实力到底处于什么水平？

长鑫科技目前已实现 17nm 工艺 DDR5、LPDDR5 内存芯片的规模化量产，技术水平处于全球第二梯队，与三星、SK 海力士等第一梯队企业存在约 2-3 年的代差，但已完全满足国内服务器、PC、智能手机等主流市场需求。

从产能来看，长鑫科技在合肥拥有三座 12 英寸晶圆厂，月产能合计达 60 万片，2026 年 Q1 出货量全球占比达 8%-9%，是全球第四大 DRAM 供应商。其 17nm 工艺产品已进入国内头部服务器厂商供应链，2026 年 Q1 国内服务器 DRAM 国产化率突破 30%，安卓手机采用比例也突破 30%。

在先进制程方面，长鑫科技已启动 14nm 工艺研发，预计 2027 年实现量产；HBM（高带宽内存）技术研发也在推进中，计划 2028 年推出 HBM3 样品。虽然与三星已量产的 HBM4E 存在代差，但已基本跟上全球技术迭代节奏。

东方财富网 2026 年 7 月 18 日报道指出：" 长鑫科技是国内唯一实现 DRAM 规模化量产的企业，其 17nm 工艺产品已达到国际主流水平，在国产替代进程中发挥着核心作用。" 中芯国际创始人张汝京也表示：" 长鑫科技的成功量产，标志着中国在存储芯片领域实现了从 0 到 1 的突破，为后续技术迭代奠定了基础。"

长鑫科技上市对国产存储芯片产业有何影响？

长鑫科技上市将从资金、技术、生态三个维度推动国产存储芯片产业发展，加速打破海外垄断，提升国内半导体供应链的安全性。

在资金方面，本次募资的 579 亿元将全部投向存储芯片国产替代项目，其中 12 英寸 DRAM 晶圆产线升级改造项目拟投入 200 亿元，HBM 与车规存储技术升级项目拟投入 150 亿元，下一代存储前瞻技术研发项目拟投入 45 亿元。大规模的资金投入将帮助长鑫科技在 2028 年前将月产能提升至 100 万片，进一步缩小与国际巨头的产能差距。

在技术方面，长鑫科技上市后将吸引更多高端人才加入，加速 14nm 工艺、HBM 等先进技术的研发进程。同时，其上市将带动国内存储芯片产业链的发展，目前中微公司、沪硅产业等上游设备材料企业已参与其战略配售，未来将形成更加完善的国产存储芯片生态。

在生态方面，长鑫科技上市后将进一步提升品牌影响力，吸引更多终端厂商采用其产品。2026 年 Q1，其产品在国内服务器、PC 端的渗透率已突破 30%，未来随着产能提升，有望在 2028 年实现国内市场 50% 的渗透率，彻底改变国内存储芯片市场被海外巨头垄断的格局。

中国半导体行业协会副理事长于燮康表示：" 长鑫科技上市是中国存储芯片产业发展的重要里程碑，将为国产替代进程注入强大动力，有助于提升中国半导体产业的整体竞争力。"

长鑫科技面临哪些挑战与风险？

尽管长鑫科技取得了显著成绩，但仍面临技术代差、市场波动、专利纠纷等多重挑战，需要持续投入研发并提升市场竞争力。

首先是技术代差问题。目前三星、SK 海力士已量产 1 α、1 β 工艺的 DRAM 芯片，HBM4E 也已进入样品阶段，而长鑫科技仍处于 17nm 工艺量产阶段，HBM 技术尚在研发中，与国际巨头存在约 2-3 年的技术差距。若不能加快研发进度，可能在未来的市场竞争中处于劣势。

其次是市场周期波动风险。DRAM 芯片市场具有明显的周期性，通常 3-4 年为一个周期，价格波动幅度可达数倍。2026 年市场处于上行周期，长鑫科技业绩爆发式增长，但一旦市场转入下行周期，其盈利水平可能大幅下滑。2022 年全球 DRAM 市场曾因需求下滑导致价格暴跌 40%，给行业企业带来巨大压力。

此外，专利纠纷也是潜在风险。三星、SK 海力士等国际巨头拥有大量 DRAM 核心专利，长鑫科技在发展过程中可能面临专利诉讼风险。2023 年，美光曾因专利纠纷起诉国内存储芯片企业，虽然最终和解，但仍给国内企业敲响了警钟。

招商证券半导体行业分析师刘虹辰指出：" 长鑫科技虽然取得了阶段性成功，但仍需警惕技术追赶过程中的专利风险，同时要加强市场风险应对能力，避免因行业周期波动影响长期发展。"

QA：关于长鑫科技 IPO 的常见问题

Q：长鑫科技股票代码是什么？申购需要什么条件？

A：长鑫科技股票代码为 688825，网上申购代码为 787825。投资者需开通科创板权限，且满足沪市市值门槛（每 5000 元市值可申购 500 股），顶格申购需配沪市市值 1672 万元。

Q：长鑫科技上市后股价走势会如何？

A：市场普遍认为，长鑫科技作为国产 DRAM 龙头，上市后有望获得较高估值，但短期内可能因市场情绪波动出现一定幅度的调整。中长期来看，其股价走势将取决于技术研发进度、产能扩张速度以及市场份额提升情况。

Q：个人投资者如何参与长鑫科技投资？

A：个人投资者可通过网上申购、购买科创板基金等方式参与。需要注意的是，半导体行业具有高投入、高风险、高回报的特点，投资者需充分了解行业风险，谨慎做出投资决策。

结尾：国产存储芯片的崛起之路

长鑫科技的上市不仅是一家企业的里程碑，更是中国存储芯片产业崛起的重要标志。从 2016 年成立到 2026 年上市，长鑫科技用 10 年时间打破了海外巨头对 DRAM 市场的垄断，实现了国产存储芯片从 0 到 1 的突破。

未来，随着 AI 算力、自动驾驶等新兴领域的快速发展，全球存储芯片市场需求将持续增长。长鑫科技需要抓住机遇，持续加大研发投入，加快技术追赶步伐，同时加强产业链协同合作，构建更加完善的国产存储芯片生态。

正如长鑫科技董事长朱一明所说：" 我们的目标是成为全球领先的存储芯片企业，为中国半导体产业的发展贡献力量。" 我们有理由相信，在政策支持、资本助力和企业自身努力下，长鑫科技终将实现这一目标，推动中国存储芯片产业走向世界舞台中心。

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