SK 海力士明确否认正在推进收购英特尔俄亥俄州半导体园区的报道，但该公司赴美建厂的大方向已基本明朗。

韩国《中央日报》7 月 22 日援引匿名知情人士报道称，SK 海力士正与英特尔就收购俄亥俄州半导体园区展开谈判，目标是在五年内于美国本土生产存储芯片。

该报道随即引发市场广泛关注。同日，SK 海力士发布澄清公告，明确表示 " 没有推进或决定收购英特尔俄亥俄州地块及晶圆厂（Fab）的事实 "，但同时承认 " 持续评估各类投资和收购机会 "。

尽管收购传闻遭到否认，SK 海力士扩大美国本土生产布局的压力仍在持续。该公司财务负责人金宇铉（김우현）签署了上述澄清公告。

报道称谈判进行中，SK 海力士予以否认

韩媒报道援引 " 熟悉 SK 海力士内部情况的匿名人士 " 称，与英特尔的收购谈判已进入实质阶段，" 内部审查和政府审批程序正在推进 "，收购金额与时间尚在协商中。

英特尔俄亥俄州园区位于纽阿尔巴尼市，于 2022 年破土动工，目前已完成混凝土浇筑和钢结构等主要基础施工，规划总面积约 404 万平方米，可建设 8 座晶圆厂，全面开发预计耗资约 1000 亿美元。英特尔原计划在第一阶段投入约 280 亿美元、于 2025 年完工 "Fab 27" 和 "Fab 28" 两座工厂，但受代工业务客户拓展不利及资金压力影响，工厂投产时间已推迟至 2030 至 2031 年。

针对上述报道，SK 海力士在韩国交易所澄清公告平台发布声明，明确否认了收购推进或决策的存在，但措辞留有余地，未排除未来进行相关评估的可能性。

美国施压在先，赴美建厂方向已定

否认收购传闻的背景下，SK 海力士赴美扩产的战略意图已通过高层表态公开确认。SK 集团会长崔泰源 7 月 15 日在济州岛大韩商工会议所夏季论坛上表示，" 目前存储芯片价格异常偏高，需要扩大供应、压低价格 "，并明确提出 " 不仅要在湖南，也要在美国建设半导体工厂，现在正在寻找地点，需要尽快推进 "。

来自美国政府的压力是重要背景。美国商务部长 Howard Lutnick 本月 10 日出席美光纽约工厂活动时表示，希望 " 召唤三星电子和 SK 海力士来美国建设生产设施 "。半导体业界普遍将这一表态解读为，美方要求已从封装后道工序延伸至 DRAM 等存储芯片前道工序的本土化生产。

目前，SK 海力士正在印第安纳州投资约 38.7 亿美元建设高带宽存储器（HBM）封装生产基地，预计 2028 年投产。三星电子则正在德克萨斯州泰勒市推进约 370 亿美元的先进代工厂及研发设施建设项目。

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