快科技 7 月 27 日消息，国产 DRAM 龙头长鑫科技今日正式登陆上交所科创板，上市首日即刷新 A 股多项纪录，成为 A 股历史上首只开盘市值突破 3 万亿的科技股，登顶 A 股市值榜首。

长鑫科技上市引发资本市场的强烈关注，据媒体披露，就在长鑫科技挂牌前三天，高盛紧急召开了一场聚焦中国存储产业的专家电话会议。

会议邀请了一位曾在长鑫存储担任高级总监、并在三星电子任职长达 18 年的资深业内人士，围绕中国 DRAM 产能扩张节奏、产品技术进度与全球存储价格走势三大方面进行深度剖析。

高盛会议的核心判断是：中国 DRAM 产能扩张的趋势已不可逆转；设备国产化是最确定的投资方向，北方华创、中微公司、盛美上海等本土设备商将直接受益。

高盛预计到 2030 年，长鑫存储年产能有望较当前水平翻倍以上。目前长鑫科技产能布局横跨合肥、上海、北京三大生产基地，预计 2028 年前全部投产；一座规模更大的生产基地也将在 2028 年后开始贡献产能。

值得关注的是，新增产能除采购国际设备外，正加速引入国产设备。部分厂区除光刻机依赖进口外，其余环节已大量改用国产设备，为本土设备商打开了前所未有的渗透机会，设备国产化率正稳步提升中。

技术层面，专家指出长鑫科技制程持续更新，读写速度等关键性能指标较去年明显进步，而实现 HBM3 与 HBM3E 量产是长鑫科技 2026 年的明确目标。

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