东吴证券发布研报称，沿 " 激光—光刻—电镀 " 三条工艺主线，关注玻璃基板产业化中的国产设备与材料机会。 ( 1 ) 激光钻孔 / 改性设备：TGV 成孔是玻璃基板的关键工艺 ; ( 2 ) 光刻 / 直写设备：RDL 高密度布线与感光玻璃光刻环节 ; ( 3 ) 电镀设备与电镀化学品：TGV 铜填充与 RDL 电镀是价值量核心环节。

东吴证券主要观点如下：

AI 算力需求高增推高带宽需求，玻璃基板有望开启先进封装的 " 材料革命 "，产业链设备与材料环节率先受益

后摩尔时代芯片制程红利趋缓，先进封装成为提升系统性能的关键路径 ; 根据 Yole 数据，2024 年全球先进封装市场约 460 亿美元、同比 +19%，2030 年有望达 794 亿美元、CAGR 约 9.5%。随着算力芯片与 HBM 高带宽存储协同要求不断提高，硅基与有机中介层 / 载板在大尺寸、翘曲控制、高频损耗等方面逐渐触及瓶颈，玻璃凭借机械尺寸稳定、CTE 可调、介电损耗低、表面平整、且可面板级大尺寸加工等本征特性，成为破局材料。当前时点产业共识正在形成：英特尔于 2026 年第 76 届 ECTC 发布玻璃芯基板量产技术突破，台积电推进面板级 CoPoS，康宁推出 Glass Bridge 玻璃桥 CPO 方案，京东方在 5 月 20 日公告与康宁合作、玻璃基封装载板试验线已通线并送客户认证，沃格光电、蓝思科技等亦密集布局，海内外龙头共同验证玻璃基板的产业化方向。

玻璃基板落地三大方案，层层递进打开设备与材料空间

1 ) 面板级封装 ( CoPoS ) 方案：玻璃作为方形临时载具，承载 CoWoS-L 式 RDL 重布线，在玻璃上打 TGV 玻璃通孔、金属化后制备 RDL，以 TGV 垂直互连 ; 该方案相比圆晶圆更具经济性、支持面板级大尺寸，CTE 可调以改善翘曲 , 并可掏槽内嵌元件、演化出 5.5D 封装。2 ) 玻璃芯封装载板方案：以玻璃替代传统覆铜板有机核心层 , 机械刚性与介质损耗 Df 优于有机材料 , 更好满足高频高速传输。3 ) CPO 玻璃桥方案 ( 康宁 ) ：在玻璃内部制作光波导，直接连接 PIC 与光纤、取代 FAU，显著降低耦合对位难度，并可与玻璃基板工艺相结合。三条主线的共同点是把价值量集中导向 TGV 打孔、金属化电镀、RDL 布线等前道图形化与镀铜环节。

核心增量在加工设备与材料

TGV 打孔 ( 激光 / 刻蚀 ) 、金属化与电镀、RDL 光刻是玻璃基板产业化的三大关键工艺环节。TGV 成孔以激光钻孔 ( 紫外超快激光优于 CO ) 、激光诱导改性 + 湿法刻蚀、感光玻璃光刻为主流路线 ; 金属化以磁控溅射种子层配合化学镀 / 电镀实现全铜填充 ;RDL 沿用硅基的电镀法与大马士革法，对直写光刻、垂直电镀与电镀化学药水提出更高要求。当前瓶颈集中在高深宽比成孔、电镀无空隙填充与玻璃开裂控制，正是国产设备与材料企业切入的窗口期。

风险提示：下游巨头玻璃基板导入进度不及预期 ; 关键工艺良率突破不及预期 ; 先进封装及 AI 算力需求不及预期。