中国两大存储芯片巨头。长江存储与长鑫科技——它们的新增产能规模，是三星电子的整整五倍。没听错，五倍。

过去数十年，全球存储芯片市场一直是韩国与美国的天下。三星、SK 海力士、美光，三家公司牢牢控制着全球绝大部分的内存与闪存供应。

中国厂商在这个领域长期扮演追赶者的角色，产能低、技术弱、年年亏损。但 2026 年，这个局面正在发生根本性的逆转。

2026 年一季度财报季。长鑫科技，单季度归母净利润 247 亿，同比增长 1688%。净利润 330 亿，去年同期还是亏损 28 亿。

美国用了将近十年，出口管制、实体清单、设备禁运，一套一套往上加。结果被封锁的那家公司，单季度净赚 330 亿。所以本期视频，我们通过财经视角了解一下，中国两大存储芯片巨头。

先看对手在做什么。三星电子今年在平泽园区推进先进制程产线扩产，但三星公开表态：优先考虑长期盈利能力，不会盲目扩产。

SK 海力士用 " 极度审慎 " 四个字来定义自己的扩产策略。美光的新产能爬坡则要推迟至 2027 年才能实质性释放。

全球三大存储巨头，集体选择了保守。

与此形成鲜明对比的，是中国 " 两长 " 的全速冲刺。

长江存储目前在武汉拥有两座 12 英寸晶圆厂，月产能约 10 万片。三期项目于 2025 年 9 月动工，原计划 2027 年量产，如今已提前至 2026 年下半年启动量产，比原计划整整提前一年。三期全面达产后，长江存储总月产能有望翻倍至约 20 万片。

长鑫科技的扩产节奏同样激进。根据机构追踪数据，长鑫 2026 年月产能目标约 8 万片，2027 年提升至 9 万片，2028 年剑指 10 万片。

目前长鑫在合肥与北京拥有三座 12 英寸晶圆厂，产能仍在快速攀升通道中。

两家企业合计，未来两年将持续扩建产线，整体产能规模扩大至当前的 2 倍左右。以 2025 年底约 10% 的全球市占率为基准，预测认为到 2028 年国产存储芯片的全球份额有望提升至 20% 至 25%。

这个扩张速度，在全球半导体史上没有先例。

产能扩张需要资金，而资金的来源，是这轮存储超级上行周期带来的暴利。

存储芯片行业的周期性是其最显著的行业特征：价格上行时利润暴增，价格下行时亏损惨烈。而 2025 年至 2026 年，恰好处于一个罕见的超级上涨周期。

在这种价格环境下，企业的利润表呈现出惊人数字。

长鑫科技 2026 年第一季度营收 508 亿元，同比增长 719%；净利润 330 亿元，去年同期为亏损 28 亿元；归母净利润 247.62 亿元，同比暴涨 1688%。

公司同步披露的业绩预告显示，预计 2026 年上半年营收 1100 亿至 1200 亿元，归母净利润 500 亿至 570 亿元。

长江存储同样势头凶猛。2026 年第一季度营收超过 200 亿元，同比翻倍，全球闪存市场份额突破 10%，已逼近全球第三的位置。长江存储三期项目投资规模高达约 2600 亿元。

几乎相当于再造一个长江存储。

有了充沛的利润现金流，" 两长 " 随即启动了资本市场的关键一步。2026 年 5 月 27 日，长鑫科技科创板 IPO 获上交所上市委审议通过；

" 两长 " 双双冲刺 A 股，是中国存储芯片产业走向资本化、规模化的历史性节点。

资本与产能之外，更值得深度审视的，是技术层面正在发生的质变。

一个颇具象征意义的细节：三星电子，全球存储芯片的绝对霸主，向长江存储购买了专利。所涉专利为混合键合技术，用于 400 层以上三维闪存的制造。这是中国半导体企业历史上第一次向韩国存储巨头收取专利许可费。

长江存储的核心技术支柱是自主研发的晶栈 Xtacking 架构，三度斩获国际闪存峰会最高奖项，目前已积累超过 11000 项专利，绝大多数为发明专利。

294 层 3D NAND 已实现量产，技术代际持续推进。

同样关键的突破，发生在设备国产化层面。长江存储三期产线的国产设备占比首次超过 50%。这个数字需要参照系来理解：五年前，国内芯片产线的国产设备占比尚不足 10%。

从不足 10% 到超过 50%，意味着即便面对美国出口管制与实体清单的持续压力，中国存储企业依然具备持续扩产的能力。

2022 年底，长江存储被美国商务部列入实体清单。彼时不少分析人士预判这家公司将陷入困境。但三年过去，长江存储不仅没有倒下，反而产能翻倍、利润暴增、技术实现多点突破。

据报道，苹果公司正在评估与长江存储建立供应合作关系，驱动因素正是全球存储供应短缺的严峻程度。长江存储目前出现了抢货现象，订单饱满度创历史新高。

光鲜的背后，有真实存在的挑战与风险，技术差距依然是客观事实。在 DRAM 制程方面，三星与 SK 海力士已进入 12 纳米以下节点，长鑫仍在 17 至 19 纳米；

在 3D NAND 堆叠层数方面，国际巨头已规划 400 层以上，长江存储的 294 层刚刚量产；在高带宽内存领域，长鑫比三星和 SK 海力士的量产进度落后约一年，良率差距仍在 20 至 30 个百分点，HBM4 研发尚未启动。

更深层的风险，是 " 周期悖论 "。存储芯片没有永远上涨的价格。业内已有预测认为，最早 2027 年下半年存储供应将出现拐点，而拐点的主要触发因素，恰恰正是中国企业的激进扩产本身。

这是一个内生性的悖论：" 两长 " 凭借价格上涨周期积累了扩产的资金与底气，但它们大规模扩产的行为，又可能成为终结这轮上涨周期的催化剂。

历史上，三星曾多次通过 " 逆周期扩产 " 策略主动压低价格以挤出竞争对手，这一竞争手段的威力，" 两长 " 不可不防。

此外，地缘政治风险仍是悬在头顶的达摩克利斯之剑。美国对华半导体出口管制的边界仍在动态调整，高端光刻机与 EUV 设备的获取仍面临限制，部分高端制程的技术路径存在不确定性。

理解 " 两长 " 扩张逻辑的终极坐标，是人工智能。

人工智能对存储市场做的最重要的一件事，是制造了一个双轨定价结构。普通存储跟着供需涨跌，但高带宽存储器几乎是卖方市场。

想买多少就卖多少，价格还高得离谱。业内的判断越来越清晰：当前人工智能革命真正的瓶颈，已经不是计算力，而是存储。

大模型训练和推理对存储带宽、存储容量的需求是指数级增长的，不是线性的。随着 AI 应用从云端往手机、汽车、工业设备渗透，这个需求还会继续往外扩散。

全球半导体产业预计在 2030 年迈入万亿美元规模，存储是其中增速最快的那一块。如果这个判断成立，那么即便短期内周期出现调整，长期的需求增量依然是确定的。谁拥有产能，谁就拥有定价权和话语权。

十年前，中国在存储芯片领域的全球份额几乎是零。五年前，长鑫刚刚造出第一颗国产 DRAM，还在为良率苦苦挣扎。如今新增产能已经超越三星，全球份额从零迈向 10%，目标是 20% 以上。

这个崛起背后，是三重力量同时发力：超级价格周期提供了资金弹药，国家战略意志提供了政策护航，持续的研发投入提供了技术积累。三者缺一不可。

但清醒地看，技术差距是真实存在的，周期风险是真实存在的，地缘政治的变量也一直在。" 两长 " 能不能在下一轮价格下行周期里守住阵地、持续投入，能不能在高带宽存储器上完成代际追赶，才是这场竞赛最终走向的核心问题。

美日韩主导全球存储供应链几十年，但这个格局正在被改写。存储芯片这个被称为半导体皇冠上明珠的领域，中国终于有了自己的重量级玩家。

而这场竞赛，才刚刚进入最精彩的阶段。