7 月 29 日，日韩股市高开低走。截至发稿，韩国 KOSPI 综指跌超 6%，跌破 5700 点，跌至 4 月 7 日以来新低，自 6 月中旬 9300 点历史高点已跌近 40%。SK 海力士暴跌超 10%，三星电子跌超 5%。日经 225 指数跌超 1.5%。

韩国交易所启动 SIDECAR 机制，暂停 KOSPI 程序化卖盘。

7 月 29 日，SK 海力士（000660.KS）公布 2026 年第二季度财报。该季度 SK 海力士营收 79.32 万亿韩元（约 3696 亿元人民币），同比增长 257%，环比增长 51%；营业利润 60.54 万亿韩元（约 2821 亿元人民币），同比增长 557%，环比增长 61%；净利润 93.92 万亿韩元（约 4377 亿元人民币），环比增长 133%。

第二季度，SK 海力士营业利润率为 76%，净利润率为 118%，现金及现金等价物则达到 88 万亿韩元，环比增加了 33.6 万亿韩元。该公司表示，在强劲的 AI 需求推动下，高价值产品销售带动公司季度业绩再创新高，上半年收入首次超过 100 万亿韩元。

具体产品中，SK 海力士表示，HBM4（第六代高带宽内存）第二季度已实现大规模出货，下半年将持续扩大出货规模，HBM4E（HBM4 增强版本‌）已向客户发送样品。DRAM（动态随机存取存储器‌）方面，SOCAMM2（专为 AI 服务器设计的新型内存形态）销量持续增长，基于 1c 工艺（10 纳米第六代 DRAM 工艺）的产品量产稳步爬坡。NAND   闪存方面，该公司已在推动先进制程迭代，321 层的 NAND 闪存市场占比持续提升，公司的目标是到今年年底 321 层产能可占公司本土 NAND 闪存总产能的 50% 左右。

SK 海力士表示，随着大型科技公司加大对 AI 基础设施的需求，这些投资获得 AI 服务产生的收入支撑，预计存储需求的增长势头将持续下去。以需求展望为基础，SK 海力士与十余家主要客户签订了长期协议，以确保中长期的稳定供应，多年期合同和技术创新解决方案的需求已有所增长。

作为对市场需求增长的回应，SK 海力士在加速推进韩国忠清北道清州市 DRAM 生产基地 M15X 的量产。中长期的投资计划包括投入 P&T7 先进封装设施、M17 NAND 生产基地和新半导体集群的开发项目建设，公司将根据客户需求及投资效益分阶段进行。

虽然 SK 海力士第二季度多项财务数据增长迅猛，但营业利润低于此前市场预测的约 64 万亿韩元，营收低于市场预期的约 84 万亿韩元。有分析指出，SK 海力士未能达到分析师预期，是因为该公司在 AI 数据中心所用高端内存芯片领域的业务占比高于竞争对手，这意味着它在传统内存芯片价格强劲上涨时获益较少。这加剧了人们对推动半导体行业发展的 AI 热潮可能正在放缓的担忧。

美股 7 月 28 日，SK 海力士（SKHY）跌 8.98%，触及上市后股价新低。美股存储股也被带崩，闪迪跌逾 14%，希捷科技、美光科技、AMD 跌逾 8%。

韩股 SK 海力士股价高点在 6 月 22 日，6 月 22 日至 7 月 28 日，SK 海力士股价已累计下跌 46.9%。

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编辑 | 段炼 杜波      

校对 | 梁露月      

封面图片：视觉中国（图文无关）