快科技 8 月 1 日消息，今日恰逢中微公司成立 22 周年庆典，中微公司董事长兼总经理尹志尧在庆典上表示，要在未来五年内至少覆盖 60% 的半导体高端设备，成为全球覆盖率最高的半导体设备公司，到 2035 年在规模、产品竞争力上成为全球第一梯队的半导体设备公司。

实际上，这一长远构想并非首次提出。

在今年 4 月 1 日举办的 2025 年度业绩说明会上，尹志尧便披露过相似布局 " 到目前为止，我们已经有 37 种成熟的设备在大生产线实现量产，而且有批量的订货。希望到 2035 年，公司同时在规模、产品竞争力、客户满意度方面，成为全球第一梯队的半导体设备公司。"

他当时还指出，公司在五年左右时间将覆盖 60% 以上的集成电路高端关键设备和 70% 以上的先进封装设备，成为集成电路设备的平台型公司。

能够定下跨越式发展目标，依托的是中微成熟的刻蚀产品体系。

据尹志尧介绍，中微公司开发的 CCP 高能等离子体和 ICP 低能等离子体刻蚀两大类，包括 20 多种细分刻蚀设备，已被广泛应用于国内和国际一线客户，可覆盖从 65 纳米到 3 纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用。

截至 2025 年底，公司刻蚀设备反应台全球出货量超过 6800 台，市占率持续稳步提升。

值得一提的是，中微公司最新披露的年报显示，中微公司 2025 年全年实现营业收入 123.85 亿元，同比增长 36.62%，经营业绩创下历史新高；

归属于母公司所有者的净利润约 21.11 亿元，较上年增加约 4.96 亿元，同比增长约 30.69%。

研发方面，中微公司 2025 年研发投入 37.44 亿元，占年销售额的比例达到 30.2%，开发项目涵盖六大类，超过二十款新设备。

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责任编辑：秋白