7 月 29 日晚，长江存储发布声明，对近期在网络上流传的关于公司专利诉讼及资本市场的虚假信息作出正面回应。

声明指出，网传 " 美国专利商标局于 7 月 28 日裁定长江存储核心 3D NAND 专利全部 19 项权利要求无效 " 等信息属于 " 严重误导性描述 "，同时澄清 " 长存相关概念股全线暴跌 " 系基于误导信息所作的恶意编造。

深耕存储芯片领域多年，长江存储始终以自主创新为核心，一步步打破海外技术垄断，实现国产 3D NAND 闪存芯片的跨越式突破。

2018 年，长江存储成功量产了第一代 32 层 3D NAND 闪存芯片，这款由团队历时 2 年研发成功的首款 32 层三维 NAND 闪存芯片，实现了零的突破。这款芯片稳定应用于工控领域，奠定了国产存储芯片产业化的基础。

2020 年，企业再度迭代升级，成功研发两款 128 层闪存产品，快速追平国际主流技术水平。

亮眼的技术成果背后，是企业突破封锁的坚守。2023 年 11 月 9 日，长江存储在美国加利福尼亚州北区联邦地方法院提起诉讼，指控美光科技及全资子公司侵犯其 8 项美国专利。此后，双方在多法域展开连环诉讼。

如今，伴随着自动驾驶、人工智能、元宇宙等新应用在国内的落地，国内数据存储需求不断提升，对国产 NAND 存储芯片的需求也有望不断增长。

知识产权是企业创新发展的核心支撑，更是科技企业参与国际竞争、抵御外部风险的坚固壁垒。对于芯片这类高技术产业而言，自主研发的专利技术、完善的知识产权布局，是突破技术封锁、规避市场风险的关键。

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