【CNMO 科技消息】8 月 3 日消息，日本存储企业铠侠正加速布局人工智能用下一代 NAND 市场，计划在今年陆续量产面向 AI 数据中心和终端 AI 设备的最新规格 NAND 解决方案。这一动向被业界视为对三星电子、SK 海力士等韩国存储企业追赶态势的加速回应。

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据市场研究机构 TrendForce 数据，铠侠今年第一季度全球 NAND 市场份额为 13.9%，位列三星电子（31.6%）和 SK 海力士（17.6%）之后，排名第三。虽然营收规模不及韩国竞争对手，但铠侠的技术开发速度获得业界高度评价，尤其在 AI 产业需求激增的高性能、高效率 NAND 领域，今年已取得显著成果。

上个月初，铠侠在日本岩手县北上市工厂（K2）启动了第十代（BiCS 10）3D NAND 的量产。NAND 存储通过将存储单元垂直堆叠的方式不断演进，铠侠的第十代 NAND 实现了 332 层堆叠。三星电子和 SK 海力士目前已成功量产第九代 NAND，由于各企业的代际层数计算标准不同，无法直接横向比较，但三家企业均已进入 300 层以上高堆叠 NAND 的量产阶段，这一点具有重要意义。

基于第十代 NAND 技术，铠侠已商用化支持 PCIe 6.0 接口的数据中心用企业级固态硬盘 CM10。PCIe 6.0 SSD 是今年开始量产的最新接口标准，据铠侠介绍，CM10 相比前代产品顺序读取性能最高提升 92%，随机读取性能提升约 85%。面向终端 AI 市场的 UFS 5.0 存储计划今年底开始量产，这是今年起商用化的最新内置存储规格，主要用于移动设备 NAND，数据处理速度约为前代 UFS 4.1 的两倍。铠侠的 UFS 5.0 搭载自研控制器和第八代 NAND。

面对铠侠的攻势，韩国存储企业也在加速开发尖端 NAND 解决方案。行业龙头三星电子正展开积极布局，上个月初已开始量产 PCIe 6.0 企业级固态硬盘 PM1763，该产品搭载第九代 V NAND 和 4 纳米制程的新型控制器。三星电子的 UFS 5.0 存储已于今年 6 月完成开发，计划第四季度投入量产，其特点是基于第九代 NAND 实现了业界最高水平的 10.8GB/s 数据传输带宽和功耗效率。

下一代第十代（V10）NAND 方面，三星电子宣布本月开始量产。据推测，三星电子 V10 NAND 的堆叠层数在 430 层左右。从第十代开始，三星电子将首次采用混合键合技术，以及将单元分三次堆叠的 3-stack 工艺。一位半导体业界人士表示，三星电子近期已完成 V10 NAND 的内部产品量产批准，正式公布了量产计划，但由于大规模量产设备投资尚未完全展开，初期产量预计处于较低水平。

随着 AI 数据中心建设和终端 AI 设备普及带动存储需求持续攀升，韩日存储巨头在下一代 NAND 领域的技术竞赛正进入白热化阶段。从 PCIe 6.0 企业级固态硬盘到 UFS 5.0 移动存储，双方在产品规格和量产时间表上的交锋，将直接影响未来 AI 基础设施的存储供应链格局。

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