AI 算力需求持续扩张，正在重塑全球 DRAM 市场竞争格局。经历一年多的份额争夺后，三星电子在 2026 年第二季度重新夺回 DRAM 市场第一的位置，而 SK 海力士和美光科技之间的竞争也进一步升温，全球存储芯片三强格局正在经历新一轮调整。

据市场研究机构 Counterpoint Research 最新发布的 2026 年第二季度全球内存追踪报告，三星电子以 39% 的 DRAM 市场份额位居全球第一，结束了一年前被 SK 海力士超越的局面。同期，美光科技凭借 DRAM 业务收入同比增长约五倍，以 25% 的市场份额紧追 SK 海力士的 26%，三大存储厂商之间的差距进一步缩小。

三星此次反超主要得益于通用 DRAM 价格上涨以及 HBM（高带宽内存）业务扩张。相比之下，SK 海力士虽然 DRAM 营收同比增长 214%，但市场份额却从去年同期的 39% 降至 26%，反映出 HBM 均价下滑以及早期长期供货协议（LTA）锁价带来的阶段性压力。

三星受益于 DRAM 涨价，HBM 业务同步扩张

Counterpoint 研究员崔正久（최정구）表示，三星此次反弹 " 扭转了此前所有颓势 "。公司不仅受益于通用 DRAM 需求回升和价格上涨，同时也在 HBM 领域持续扩大市场份额。

报告显示，2026 年第二季度，通用 DRAM 价格较第一季度明显上涨，为三星存储业务提供了直接的营收支撑。与此同时，HBM 市场仍处于产品升级阶段，现有 HBM3E 产品价格同比下降，加之 HBM4 量产出货时间有所延后，导致整体 HBM 均价承压。

不过，随着 AI 服务器建设持续推进，高性能存储需求仍在快速增长。Counterpoint 预计，第三季度 DRAM 价格仍有进一步上涨空间，三星存储业务盈利表现有望继续改善。

SK 海力士份额承压，LTA 锁价影响显现

SK 海力士虽然依靠 HBM 业务保持高速增长，但市场份额却出现明显下滑。

Counterpoint 研究总监黄敏成（황민성）指出，SK 海力士二季度业绩在同比和环比口径下均创历史新高，但由于三星和美光增长速度更快，公司在全球 DRAM 市场中的相对份额有所下降。

其中，HBM 业务结构是重要影响因素。由于 SK 海力士此前在 HBM 领域领先，其 HBM 出货量和收入占比均高于竞争对手，因此受到 HBM 价格下降的影响也更为明显。

此外，SK 海力士较早与客户签订长期供货协议（LTA）。由于 LTA 通常会设置价格上下限，在存储价格快速上涨周期中，早期锁定的合同价格可能低于当前市场价格，使公司阶段性无法充分受益于涨价周期。

HBM4 放量，存储竞争进入新阶段

不过，随着下一代 AI 芯片平台推进，HBM 市场格局仍可能发生变化。

英伟达 Vera Rubin 以及 AMD Instinct MI455X 等新一代 GPU 机架开始出货后，HBM4 需求预计将从第三季度起逐步放量。随着高端存储产品占比提升，HBM 价格压力有望缓解，存储厂商盈利结构也可能进一步改善。

对于三星、SK 海力士和美光而言，AI 服务器需求正在成为决定未来市场排名的关键变量。随着 HBM4 竞争展开，DRAM 市场的竞争重点也将从传统存储周期，转向先进存储技术、客户绑定能力以及产能布局的综合较量。