【天极网手机频道】8  月  4  日，市场研究机构  Counterpoint   Research  发布《2026  年第二季度全球存储追踪报告》，受智能体  AI、AI  服务器算力需求持续爆发拉动，全球  DRAM  行业供需格局迎来大幅洗牌，头部厂商座次、国产存储企业增长均出现标志性变化。

数据显示，三星电子以 39% 的营收份额登顶  2026  年二季度全球  DRAM  市场，份额水平重回  2024  年区间，彻底扭转  2025  年同期被  SK  海力士反超的局面。依托传统  DRAM  稳定供货能力与定价优势，三星拉开与竞争对手的差距，HBM  高端存储业务同步放量，成为业绩反弹核心驱动力，机构预判其三季度将持续受益存储涨价红利。

反观去年同期榜首  SK  海力士，尽管季度营收同比大涨  214%，但市场份额从  2025  年二季度  39%  大幅下滑至 26%。受  HBM  产品价格下行、长期供货协议约束影响，其市场空间被三星、美光持续挤压。美光以  25%  的份额紧追  SK  海力士，二者仅相差  1  个百分点，随时存在位次反转可能 ; 自  2023  年下半年  AI  算力浪潮开启后，美光存储业务长期保持稳健增长态势。

这一变化表明，AI 浪潮不仅带动 HBM，也极大拉动了 AI 服务器 CPU 的传统 DRAM 需求，未来传统 DRAM 的价格和产能策略仍将是竞争焦点。其次，HBM 市场正经历产品代际切换的调整期，均价同比下降，主要受 HBM3E 降价和 HBM4 延迟出货影响，对 HBM 业务占比高的 SK 海力士冲击尤为明显。

本土存储厂商长鑫存储本季度表现亮眼，营收同比暴涨 716%，以  7%  的市场份额稳居全球第四，是二季度增速最高的  DRAM  供应商。增长核心源于国内终端、服务器传统  DRAM  刚需扩容，叠加自身产线持续扩产 ; 机构预测伴随  IPO  落地、产能持续释放，长鑫存储后续将持续冲击全球存储第一梯队。

就目前来看，市场从过去的 " 双雄争霸 " 演变为三星、SK 海力士、美光三强激烈缠斗，美光营收增长强劲，已接近赶超 SK 海力士。同时，长鑫存储以 716% 的同比增速成为最大变量，其产能扩张和 HBM 布局将可能彻底改变未来格局，而竞争维度也将扩展至产能配置、长期协议价格及地缘市场等多重因素。

此外南亚科技同样收获高增，营收同比提升  690%，主要受益  DDR、LPDDR4/5  移动存储产品供需关系持续改善，台系存储厂商整体份额同步上行。

行业逻辑层面，通用服务器消化传统  DRAM、AI  大模型算力设备消耗高端  HBM，两条需求曲线同步上行，将在中长期支撑存储行业景气度。Counterpoint  分析师表示，AI  算力扩张带来的存储增量需求，已成为改写  DRAM  厂商市场份额、决定行业盈利周期的核心变量。

放眼后市，AI  算力催生的双线存储需求仍将持续释放，全球  DRAM  市场份额博弈、国产存储追赶进程或将进一步提速，厂商对传统内存与高端  HBM  双线布局的把控能力，或将成为下一阶段拉开行业差距的关键。

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