8 月 4 日，市场研究机构 Counterpoint Research 发布《2026 年第二季度全球内存追踪报告》。数据显示，长鑫科技第二季度营收同比增长 716%，以 7% 的市场份额位列全球 DRAM 市场第四，成为当季全球增长最快的 DRAM 供应商。

报告指出，长鑫科技的增长主要来自国内传统 DRAM 的强劲需求与产能持续扩张。总体来看，传统 DRAM 价格环比上涨，而 HBM 价格则同比下降。HBM 平均价格的下降尤为明显，这主要是由于现有 HBM3E 产品价格下调以及 HBM4 发布时间延迟所致。

同一季度，三星电子以 39% 的份额重回榜首，创 2024 年以来最高水平；SK 海力士营收同比增长 214%，份额却从上年同期的 39% 降至 26%；美光科技以 25% 的份额紧随其后；台系厂商南亚科技营收同比增长 690%。

长鑫科技，自 7 月 27 日以 8.66 元 / 股的发行价登陆科创板，当日收盘报 49 元，全天涨幅 465.82%，成交额 1411.87 亿元，刷新 A 股个股单日成交纪录，总市值 3.28 万亿元，超越工商银行登顶 A 股。

业绩曲线可以解释此次市场热度。

2016 年至 2025 年，这家公司累计亏损 366.5 亿元，如今单季度归母净利润已相当于前十年累计亏损的三分之二，背后是 DRAM 价格自 2025 年下半年以来的持续上涨，以及全球主要厂商产能调配带来的供需缺口。

招股书显示，2023 年至 2025 年，公司营业收入从 90.87 亿元增至 617.99 亿元，归母净利润从 -163.40 亿元转为 18.75 亿元。而 2026 年第一季度，营业收入 508 亿元，同比增长 719.13%，归母净利润 247.62 亿元，同比增长 1688.30%。

根据最新业绩预告，公司预计上半年营业收入 1100 亿元至 1200 亿元，归母净利润 500 亿元至 570 亿元。

Wind 统计显示，2026 年一季度科创板上市公司整体归母净利润约 234 亿元，长鑫科技单季归母净利润 247.62 亿元，已超过板块整体水平。

而长鑫科技面前的主要变量是 HBM。

Counterpoint Research 研究副总裁 Shah 表示：2026 年下半年最值得关注的是，长鑫科技将如何借助近期 IPO 进一步推动 HBM 及 LPDDR6 产能扩张。对于它而言，问题不在于‘能否’，而在于‘何时’能够跻身全球三大内存厂商之列。

据悉，公司规划明年量产 12 层 HBM3E。若计划落地，与三星、SK 海力士、美光的技术差距将缩短至 2 至 3 年。受先进 EUV 光刻机获取限制，堆叠工艺良率爬坡速度慢于海外厂商。值得关注的是本次 IPO 募资中，90 亿元投向动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目，重点布局 HBM、MRDIMM 等下一代存储技术。

行业层面，二季度传统 DRAM 价格环比上涨，HBM 均价同比下降，主要受 HBM3E 降价与 HBM4 延迟影响。随着英伟达 Vera Rubin 与 AMD Instinct MI455X 上市，HBM4 出货量预计 2026 年第三季度起增长，价格下行幅度有望收窄。

从全球格局看，DRAM 市场正从三星、SK 海力士 " 双雄争霸 " 进入三强缠斗、长鑫追赶的新阶段。长鑫科技以 7% 的份额成为最大变量，但若要坐稳 " 第四极 " 并冲击第一梯队，仍需在 HBM 良率、先进制程与行业周期波动中证明自己。

周期上行期的盈利爆发，只是存储行业的上半场；下行周期的产能与成本控制力，才是真正的试金石。

来源：星河商业观察