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2026 年 08 月 05 日 03:54:42

三星公布全新 3D 内存路线图：zHBM 的新系统垂直堆叠于 AI 加速器之上 晶圆键合技术有望实现超过传统 HBM5 内存 10 倍的存储密度

财联社 8 月 5 日电，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出其 V10 Bonding V-NAND，即 BV-NAND 原型产品。三星还展示了其称业界首款 zHBM 和 zNAND-O 架构概念模型，该技术通过垂直堆叠存储单元，在更小空间内存储更多数据，其性能约为下一代 HBM5 的八倍。不同于传统 HBM 与 AI 处理器并列封装的方式，三星的 zHBM 会将存储垂直堆叠于 AI 加速器之上，以缩短数据传输距离，提高带宽，同时提升能源效率。三星表示，其晶圆键合技术有望实现超过传统 HBM5 内存 10 倍的存储密度，同时将能源效率提高 3 倍，并将热阻降低一半以上。

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