三星推出 zHBM 与 BV ‑ NAND 原型，晶圆键合实现十倍存储密度提升｜创业板早参

截至 8 月 4 日收盘，市场震荡反弹，创业板指领涨。相关 ETF 方面，创业板 50ETF（159949）高开高走，涨幅达 6.11%；创业板人工智能 ETF（159279）强势拉升，涨幅达 9.13%。其成分股中，中际旭创上涨 13.24%、新易盛上涨 13.68%、天孚通信上涨 17.45%。

消息面上，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出其 V10 Bonding V-NAND，即 BV-NAND 原型产品。三星还展示了其称业界首款 zHBM 和 zNAND-O 架构概念模型，该技术通过垂直堆叠存储单元，在更小空间内存储更多数据，其性能约为下一代 HBM5 的八倍。

不同于传统 HBM 与 AI 处理器并列封装的方式，三星的 zHBM 会将存储垂直堆叠于 AI 加速器之上，以缩短数据传输距离，提高带宽，同时提升能源效率。三星表示，其晶圆键合技术有望实现超过传统 HBM5 内存 10 倍的存储密度，同时将能源效率提高 3 倍，并将热阻降低一半以上。

相关研究机构表示，AI 相关需求持续拉动存储芯片及生产设备材料需求增长，尽管下游手机销售增速放缓，但半导体产业链在 AI 驱动下仍具备良好发展前景，消费电子和半导体器件公司业绩有望保持韧性。（风险提示：以上信息仅供参考，不构成投资建议。入市有风险，投资需谨慎。）