快科技 8 月 5 日消息，法国市场研究机构 Yole Group 分析师约瑟芬 · 卢在加州举行的 2026 年未来内存与存储大会（FMS 2026）上表示，在三星、SK 海力士的大规模投资推动下，韩国将在 2031 年之前保持全球内存芯片市场的领先地位。

韩媒随即援引这一预测展开报道，称韩国存储芯片霸主地位至少还将延续 5 年，中国等竞争对手难有翻盘机会，消息一出引发业界广泛关注。

约瑟芬 · 卢的发言也给韩国产业界吃了定心丸，三星、SK 海力士的高管纷纷表示对前景充满信心，将加大投入巩固优势。韩国计划在未来五年内把晶圆产能翻一番，大幅提升芯片产量。

市场方面，韩国 2026 年第二季度 DRAM 市场全球整体份额高达 65%。而中国长鑫存储全球 DRAM 市场份额已升至 7%，营收同比增长 716%，位列全球第四，中国厂商正在快速追赶。

国际半导体产业协会（SEMI）最新报告指出，中国成熟制程芯片产能已占全球约 35%，但高端 AI 存储芯片领域仍主要由韩国主导。

尤其是高端技术方面，技术代差仍然明显。Yole Group 评估认为，长鑫存储的 DRAM 已达 1z 工艺水平，这是 10 纳米级第三代技术，与三星电子和 SK 海力士 2019 年就已达到的水平相当，落后约 7 年。

市场机构预计，全球内存市场规模五年内将增长四倍。产能与技术双线推进下，2031 年之前韩国的领先地位难被撼动，中国厂商追赶之路依然漫长。

Yole Group 的预测也留有余地：韩国领先地位延续至 2031 年，暗示 2031 年之后将是分水岭。在这场存储芯片的马拉松中，中国已经跑进了第一方阵，差距在缩小，追赶在加速，属于中国的机会窗口正在打开。

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