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存储三寡头最严重冲击来了!马斯克晶圆厂广招存储工程师,拟杀进DRAM赛道!
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在特斯拉与   SpaceX   共同推进的雄心勃勃的   Terafab   合资项目中,埃隆 · 马斯克本就瞄准了前所未有的半导体相关垂直整合。

即便如此,这位超级富豪又把野心再抬高了一大截:把存储相关目标也扔进了这口硅业 " 大锅 " 里。

特斯拉刚为   Terafab   发布 " 存储工艺整合工程师 " 岗位,负责 "DRAM   与新兴存储技术的单元工艺整合 "

对还不熟悉的人说明一下:Terafab   是特斯拉与   SpaceX   以半导体为核心的合资计划,并有英特尔方面的有力技术支持——目标是最终每年产出   1000   GW,也就是   1   TW 的   AI   算力。

当然,Terafab   目前仍处起步阶段:已为得克萨斯州格莱姆斯县(Grimes County)的半导体综合体预留约   168   亿美元投资,未来占地有望扩大到约   1   亿平方英尺。

其核心思路是应对过去几十年芯片制造越来越碎片化的局面,把掩模生成与光刻、先进   chiplet   封装、测试等原本分散的环节收拢到同一屋檐下,从而把芯片设计闭环从目前的   6~9   个月压缩到短短数周。

特斯拉正在为   Terafab   发布存储工艺工程师岗位。Gavin S. Baker   表示,马斯克目前把   DRAM   列为   Terafab   的首要优先事项。

—— Jukan(@jukan05),2026 年 8 月 6 日,转述自   X

特斯拉现已发布的   Terafab「存储工艺整合工程师」招聘,职责包括:

1.   推动   DRAM   存储单元结构的端到端工艺整合,从电容设计贯通到全流程流片与大规模量产(HVM)就绪。

2.   为先进   DRAM   节点(半节距   sub-20nm)定义整合方案。

3.   开发存储单元整合流程,在电容密度、漏电控制与刷新特性之间做优化。

4.   与刻蚀、沉积、离子注入、CMP   等工艺团队协作,为存储专用模块划定工艺窗口:浅槽隔离(STI)、字线形成、存储节点接触、电容介质与   cell plate   结构等。

5.   与存储电路设计团队协作,验证灵敏放大器裕量、刷新时序与器件频率目标。

6.   随着   Terafab   扩展存储路线图,推动新兴存储技术(MRAM、RRAM   或   3D DRAM)的整合开发。

这份岗位说明表明,Terafab   项目正认真着手应对持续的存储供应紧张;这对三星、SK   海力士与美光构成的寡头格局,可能带来严重冲击。

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