据投融湾获悉，近日，江苏铌奥光电科技有限公司（下文简称：铌奥光电）成功完成数亿元 B 轮融资。本轮融资的投资方有高瓴创投、云锋基金、诚通科创、国开科创、沃赋资本、盛赫资本、观新光源、联想创投、南芯科创、粤财创投、南京市创新投资、金浦资本、毅达资本、广州产投等。

铌奥光电创立于 2020 年 7 月，公司总部位于江苏省南京市鼓楼区。铌奥光电是国内薄膜铌酸锂高速电光调制器芯片赛道的高新技术企业、国家级潜在独角兽企业。铌奥光电的核心定位为国产薄膜铌酸锂（TFLN）高速电光调制器芯片及光互连器件研发与产业化企业。聚焦下一代高速光通信核心芯片，面向 AI 算力爆发带来的 800G、1.6T、3.2T 高速光互联市场，解决传统硅光、磷化铟方案在大带宽、低功耗层面的性能瓶颈，打破海外厂商在高端铌酸锂调制器领域的垄断格局。

创始人蔡鑫伦，国家优秀青年科学基金获得者

铌奥光电的创始人是蔡鑫伦，本科、硕士毕业于华中科技大学光电子工程系，2012 年取得英国布里斯托尔大学电子工程系博士学位。现任中山大学电子与信息工程学院教授、博士生导师。

2014 年回国，入职中山大学，搭建光子集成器件实验室，开启硅基、薄膜铌酸锂光器件研究。2019 年作为项目负责人承担科技部重点研发计划，实现 70GHz 以上硅与薄膜铌酸锂混合集成调制器技术突破。2020 年，创立铌奥光电，将实验室薄膜铌酸锂技术进行商业产业化落地，统筹公司整体技术路线、研发战略以及产业合作。

两大产品线

铌奥光电的产品分为芯片、器件两大产品线，覆盖数据中心数通、电信相干通信、微波光子仪器三大应用方向。其中，数据中心高速薄膜铌酸锂调制器芯片包含 800G DR4、800G DR8、1.6T DR8、3.2T DR8 系列芯片，拥有超低驱动电压特性，降低光模块整体功耗。

相干通信 PDM-IQ 调制器芯片与器件指的是 128G Baud PDM-IQ 相干调制器，用于 1.6T ZR 相干光模块，解决算力集群之间长距离高速数据传输需求。超高带宽强度调制器器件指的是 67GHz、110GHz 带宽薄膜铌酸锂强度调制器，主要用于微波光子、高速科研测试仪器领域。相位调制器、IQ 调制器系列器件包括 20G、40G 等级相位调制器、IQ 调制器。

五大核心技术

铌奥光电拥有五大核心技术，其中，薄膜铌酸锂光波导与器件设计技术是自主完成高速电光调制器器件架构设计，实现超大带宽、低半波电压、低插入损耗三者性能平衡，完成世界首例薄膜铌酸锂 IQ 调制器、偏振复用相干调制器原型开发。

异质集成工艺技术掌握硅与薄膜铌酸锂混合集成工艺，实现不同材料体系的异构集成，兼顾硅光集成优势与铌酸锂优异电光调制性能。高精度芯片光纤耦合封装技术是公司自研高精度耦合封装工艺，解决芯片与光纤之间耦合损耗难题。大带宽低电压电极设计技术针对薄膜铌酸锂材料特性优化行波电极结构，实现最高 110GHz 调制带宽，同时把驱动电压降低，降低光模块配套驱动芯片的压力，减少整机功耗。器件可靠性与测试验证技术指的是建立完整的高速光器件测试平台，解决实验室原型到量产器件之间的可靠性难题。

市场快速增长

随着 AI 算力的高速扩张，800G、1.6T、3.2T 高速光模块市场也随着快速增长，高速电光调制芯片是光模块的核心元器件。薄膜铌酸锂作为下一代光芯片技术路线，市场预期持续走高。

作为国内薄膜铌酸锂高速电光调制芯片赛道代表性硬科技创业企业，凭借着充足的资金储备，拥有丰富经验的科研团队等优势，铌奥光电未来有望实现多项对标国际水平的技术成果，瞄准 AI 算力带来的高速光互联国产替代机遇。