快科技 8 月 8 日消息，近日，SK 海力士董事会正式通过大额建厂投资方案，合计投入约 54 万亿韩元（约 2567 亿元人民币），分别建设龙仁 Y2 DRAM 晶圆厂、清州 M17 NAND 闪存晶圆厂，以此匹配 AI 产业持续攀升的存储芯片需求。

龙仁 Y2 项目投资额 35.2 万亿韩元（约 1673 亿元人民币），坐落于龙仁大型半导体产业集群，是园区规划四座工厂里的第二座，总建筑面积约 113 万平方米，定位为高端 DRAM 生产基地，主打 HBM 等新一代高带宽内存产品。

项目计划 2027 年 7 月开工，2029 年 6 月启用首个无尘室，全部分阶段投资至 2031 年 10 月，资金覆盖厂房、员工配套楼宇、综合研发中心、水电变电等全套配套基建；当前园区一期水、电基础设施已完成 99% 建设。

SK 海力士已将整片龙仁集群完工时间从 2045 年提前至 2033 年，Y2 是实现该目标的核心环节。

清州 M17 闪存工厂投资 19.1 万亿韩元（约 908 亿元人民币），建筑面积约 68 万平方米，依托清州现有成熟 NAND 产线与完备水电配套，建设进度更快。

工厂 2027 年 2 月动工，2028 年 12 月投用首间无尘室，投资周期至 2031 年 4 月，聚焦企业级 SSD、AI 推理 KV 缓存等场景所需 NAND 闪存产能扩充，可与园区现有 M11、M12、M15 产线协同生产。

行业机构 Omdia 预测，2025 至 2030 年 DRAM、NAND 市场年均需求增速可达 19%，SK 海力士表示存储器已成为 AI 算力核心基础设施，行业进入结构性增长周期，单纯技术优势不足以抢占市场，稳定交付足量产能才是核心竞争力。

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责任编辑：建嘉