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存储涨价天花板到了!DRAM、NAND涨幅双双放缓:价格上涨空间有限
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快科技 8 月 8 日消息,伯恩斯坦最新 7 月存储价格追踪报告显示,2026 年第 3 季度 DRAM 与 NAND 合约价涨幅虽保持双位数,但较第 2 季度明显放缓,存储涨价潮正接近天花板。

报告指出,传统 DRAM 第 3 季度合约价环比上涨约 17%,NAND 若将 SSD 纳入计算,整体涨幅接近 20%,均高于机构模型预测,但可能低于市场最乐观的预期。

受此影响,存储股 8 日普遍承压,SK 海力士、西部数据股价一度跌近 6%,闪迪跌逾 4%,美光跌近 3%,市场开始重新评估价格持续飙升对厂商盈利的边际效应。

分市场看,服务器需求仍是最大支撑,客户普遍预期 2027 年供应进一步吃紧,提前备货积极。7 月服务器 DRAM 合约价环比上涨 8% 至 15%,第 3 季度整体涨幅预估为 13% 至 18%。

不过市场已现明显分化,签订含价格上限长期协议(LTA)的客户,7 月价格已逐渐逼近协议天花板,与没有协议约束的客户相比,报价差距正在扩大。

PC 市场则明显转弱,7 月合约价环比上涨 13% 至 16%,第 3 季度约 17%,但内存成本上涨已迫使整机厂商调高售价、压抑消费需求,PC 出货量第 3 季度预估环比减少逾 10%。

手机市场同样出现阻力,第 3 季度合约价涨幅约 10%,较第 2 季度明显收敛,预期第 4 季度将进一步收窄至个位数。NAND 方面分化明显,晶圆合约价 7 月基本持平,模块厂商更倾向消化库存,交易量大幅萎缩。

伯恩斯坦认为,供应紧张仍将延续至 2027 年,AI 与服务器需求支撑价格维持高位,但涨价空间已明显受限。

【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技

责任编辑:红茶

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