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在今天发布的一个博客采访中，英特尔 CEO 陈立武表示，CPU 和内存，我们有很多方法可以将它们堆叠在一起，同时尝试为内存寻找一些新的架构。我认为在某种程度上，在内存领域，很多创新并不存在。我过去不投资内存，因为它有点像商品业务，但现在情况不同了，有很多新技术涌现。我的一个心头好项目是研究一些内存的新架构，我想你刚刚看到新闻，我聘请了我的好朋友李硕熙（Seok-Hee Lee）。他以前掌管 SK 海力士，所以你大概能猜到我在想什么，我们还没准备好公布。

原文如下：

"CPU and memory, there's a lot of ways we can do stacking together and also try to find some new architecture for memory. I think in some way, in memory, a lot of innovation are not there. I used to not invest in memory because it's kind of commodity business, but now it's become different, there's a lot of new technology coming out. One of my pet project is looking at some of the memory new architecture, and I think you just saw the news that I hired my good friend Seok-Hee Lee. He used to run SK Hynix, so you kind of know something that i'm thinking about we're not ready to unfold it."

根据这个描述，似乎暗示英特尔正在杀回存储芯片市场？

英特尔的存储往事

很多人可能不知道，内存其实是英特尔的 " 祖业 "。

1968 年，英特尔成立之初，公司的最初设想就是利用半导体技术取代当时的磁芯存储器。1970 年，英特尔推出 1103 DRAM，这是商业化 DRAM 的早期里程碑产品，并在 1971 年底成为全球销量最高的半导体器件。换句话说，英特尔并不是一家后来突然跨界做内存的 CPU 公司，恰恰相反，英特尔最初就是一家以存储器为重要核心业务的半导体公司。

但随后，故事发生了变化。

随着日本半导体厂商在 DRAM 市场快速崛起，DRAM 逐渐演变成高度周期化、资本密集型的商品业务，英特尔最终在上世纪 80 年代退出了 DRAM 市场，并将战略重心逐步转向利润率更高、差异化程度更强的微处理器。这个战略转型后来成为英特尔历史上最重要的转折点之一——从 " 存储器公司 " 变成了 "CPU 公司 "。

不过，退出 DRAM 并不意味着英特尔彻底放弃了存储技术。

1988 年，英特尔推出了自己的 NOR Flash 产品。此后多年，Flash、SSD 等存储业务依然存在于英特尔的产品版图中。尤其是在进入数据中心时代后，英特尔又开始寻找传统 DRAM 和 NAND 之外的第三条道路。

这就是后来著名的 3D XPoint/Optane。

2015 年，英特尔与美光公布 3D XPoint 技术，并将其定位在 DRAM 与 NAND 之间，希望打造一种兼具高性能、非易失性和更高密度的新型存储技术。英特尔随后将其产品化为 Optane，并进一步推出 Optane SSD 以及 Optane DC Persistent Memory，让存储器第一次以更加直接的方式进入 CPU 的内存体系。2019 年推出的 Optane DC Persistent Memory 甚至可以通过内存总线、以字节寻址的方式工作，其定位已经不再是传统意义上的 SSD。

但 Optane 最终没有成功。

2022 年，英特尔正式宣布逐步退出 Optane 业务，并停止未来产品开发。英特尔后来也明确表示，公司将继续支持现有产品，但不再开发后续 Optane 产品。

与此同时，英特尔甚至把传统 NAND 业务也卖掉了。

2020 年，英特尔宣布以 90 亿美元将 NAND 存储及 SSD 业务出售给 SK 海力士，交易包括 NAND SSD 业务、NAND 组件及晶圆业务以及大连 NAND 闪存制造基地；英特尔当时明确表示，将保留 Optane 业务，并把交易所得用于长期增长领域。

因此，到 2022 年前后，英特尔事实上已经基本完成了从传统存储市场的撤退：NAND 卖给了 SK 海力士，Optane 也最终关停。一个曾经以 DRAM 起家的公司，几乎彻底退出了传统意义上的存储芯片市场。

也正因为如此，今天陈立武的表态才格外值得关注。

存储新架构带来的机遇

他说自己过去 " 不投资内存 "，因为内存 " 有点像商品业务 "；但现在情况不同了，因为 " 有很多新技术涌现 "，而他自己的一个 " 心头好项目 "，就是研究新的内存架构。

这句话的关键，其实不是 "memory"，而是 "new architecture"。

因为如果英特尔只是想重新进入 DDR5、LPDDR5X 这样的传统 DRAM 市场，那并没有太大意义。三星、SK 海力士和美光已经建立起非常深的工艺、产能和客户壁垒，英特尔重新建设一套传统 DRAM 体系，不仅投入巨大，而且很难在成本和规模上与现有玩家竞争。

但 AI 正在改变内存市场。

过去的 DRAM 更多是 CPU 的 " 配套器件 "，而今天，内存已经成为 AI 计算系统的核心瓶颈之一。HBM 将 DRAM 通过 3D 堆叠、TSV 等方式与计算芯片紧密结合，本质上就是一次 " 重新设计内存架构 "。而随着 AI 模型规模继续扩大，行业又开始寻找 HBM 之外的解决方案，包括更高密度的堆叠 DRAM、CXL 内存、近存计算、计算型内存以及各种新的 3D 内存架构。

这恰恰与陈立武所说的 "CPU 和内存，有很多方式可以把它们堆叠在一起 " 高度吻合。

更重要的是，这已经不是英特尔第一次释放类似信号。

2026 年 2 月，英特尔已经与软银旗下 SAIMEMORY 达成合作，共同推进 Z-Angle Memory（ZAM）下一代内存技术商业化。软银方面称，ZAM 旨在提供高容量、高带宽和低功耗的数据处理能力，面向 AI 训练和推理等场景。

ZAM 的意义就在于，它并不是简单地再造一颗传统 DRAM，而是试图通过新的 DRAM 堆叠和互连方式，解决 HBM 目前面临的成本、功耗、散热以及供应问题。已有报道显示，该项目瞄准的是一种低功耗的 HBM 替代方案。

更有意思的是，正如陈立武所说，2026 年 6 月，英特尔又宣布任命前 SK 海力士 CEO 李硕熙（Seok-Hee Lee）担任 Intel Foundry 执行副总裁，负责先进封装、系统集成、后端技术开发和制造，并直接向陈立武汇报。

把这几件事情放在一起看，逻辑就非常清晰了：

英特尔并不是简单地想 " 重返 DRAM"。它真正盯上的，可能是 AI 时代 " 计算 + 内存 + 封装 " 重新融合之后诞生的新市场。

过去 CPU 和 DRAM 是两种相对独立的产品，英特尔负责 CPU，三星、SK 海力士、美光负责 DRAM。但今天，HBM 已经通过先进封装与 GPU/AI 加速器高度耦合，内存本身越来越成为计算架构的一部分。

这意味着，" 谁制造 DRAM" 已经不是唯一的问题，"DRAM 应该以什么方式与计算芯片连接 " 同样重要。

而这恰恰是英特尔擅长的领域。

英特尔拥有 CPU 架构、先进封装、Chiplet、EMIB、Foveros 以及 Intel Foundry 等一整套能力。此次李硕熙加盟后，英特尔还进一步把先进封装、系统集成和后端制造集中到其麾下。英特尔官方对他的定位也非常明确，就是强化 "system-level innovation"。

甚至在 ZAM 之外，近期还出现了另一条值得关注的线索：英特尔相关专利披露了一种新的 XBM（Cross-Batch Memory）架构，试图通过不同于传统 HBM 的方式，将 DRAM 堆叠、UCIe 互连和封装结合起来，以降低 HBM 复杂的硅中介层和宽接口带来的成本与复杂度。不过这仍属于专利层面的技术探索，距离产品化还有相当距离。

所以，如果要给这件事情下一个判断，我会写成：英特尔正在 " 杀回内存 "，但这一次，它想杀回去的可能不是传统 DRAM 市场，而是 AI 时代的 " 新内存 "。

这其实比简单的 " 英特尔重返存储芯片市场 " 更加值得关注。

因为如果英特尔真的重新去做 DDR6、HBM5 这样的传统意义上的 DRAM 产品，它面对的是三星、SK 海力士和美光；但如果它试图重新定义 CPU/AI 加速器与内存之间的关系，那么它面对的就不再只是三大 DRAM 厂商，而是在争夺下一代 AI 计算架构的话语权。

而这也能解释为什么陈立武会特别提到李硕熙。

一个曾经掌管 SK 海力士的 " 内存老兵 "，一个掌握 CPU 和先进封装能力的英特尔，再加上 AI 时代对高带宽、高容量、低功耗内存前所未有的需求——这三者碰在一起，确实很可能意味着英特尔正在酝酿一些不一样的东西。

从这个角度看，陈立武所谓的 "pet project"，可能比 " 重返存储市场 " 这几个字本身更值得关注——英特尔真正想重新夺回的，或许不是一块 DRAM 市场份额，而是内存架构的定义权。

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