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SK海力士:竞速打造更大、更快的存储产能
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美光科技计划投入 500 亿美元,在美国爱达荷州博伊西市兴建两座大型全新存储晶圆厂,首座工厂预计 2027 年正式投产晶圆制造业务。与此同时,美光还将在纽约州克莱市打造总投资 1000 亿美元的产业园区,园区内最多可布局四座晶圆厂。

SK 海力士也正在筹建自身首座美国工厂,项目预计 2028 年完工。这座坐落于印第安纳州西拉斐特、耗资 40 亿美元的厂区主攻芯片封测环节,主要负责存储芯片堆叠、线路封装作业,并不开展晶圆前端制造工序。

除印第安纳州新项目外,SK 海力士在美国早已布局业务。2020 年,SK 海力士斥资 90 亿美元收购英特尔NAND 闪存业务,并最终组建子公司 Solidigm,总部设于加利福尼亚州萨克拉门托近郊。今年 1 月,SK 海力士对该板块完成业务重组,在美国斥资 100 亿美元成立一家专注 AI 业务的子公司,但暂未规划任何晶圆前端制造项目。

谈及赴美兴建芯片工厂的规划,崔泰源表示,SK 海力士已耗时一个多月调研潜在建厂选址。

" 我有意推进赴美建厂,但关键是必须找到合适的选址。" 他说道。

崔泰源还表示,存储行业正迎来发展转折点:面向客户定制化 HBM 的下一代技术迭代落地,将有效对冲 SK 海力士巨额扩产投入潜藏的经营风险。

如今定制化 HBM 需要和 AI 处理器协同设计研发,伴随新一代 HBM5 技术落地,这一行业趋势还在持续提速。

" 英伟达想要专属定制芯片,谷歌也需要量身打造的 HBM 产品,存储芯片早已不再是标准化大宗商品。" 崔泰源称," 这从根本上改变了存储芯片的行业属性与市场定位。"

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