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南亚科技正考虑选址建新厂:目标1dnm DRAM工艺,投资额或超百亿美元
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过去一年的 DRAM 行情高涨,让南亚科技(Nanya)这种规模相对较小的 DRAM 制造厂商也成为了行业的关键受益者。一方面承接了三大原厂更多溢出的 DDR4 和 LPDDR4 订单,另一方面也希望把握这次难得的发展机遇,启动了下一代 DDR5 等 DRAM 的生产投资。南亚科技已经开启了新 DRAM 制造厂 Fab   5A 建造计划,采购 EUV 光刻设备,引入新的 DRAM 工艺。

据 TrendForce 报道,除了 Fab   5A 外,南亚科技还计划在中国台湾的云林和屏东建造新的 12 英寸晶圆厂,目标是下一代及定制 DRAM 技术,预计投资规模比现在 Fab   5A 的 3000 亿新台币(约合 93.7 亿美元 / 人民币 631.8 亿元)还要高。南亚科技可能优先选择云林,目标是采用 1dnm(第七代 10nm 级别)DRAM 工艺制造芯片,以满足市场对内存日益增长的需求。

随着 AI 驱动的需求增长,南亚科技现有的产能已经得到充分利用,两座 12 英寸晶圆厂处于满载状态,月产能约为 7 万片晶圆。Fab   5A 预计 2027 年下半年开始投产,2028 年月产量为 3 万片晶圆,2029 年增至 3.59 万片晶圆。另外还能根据市场需求进一步扩展,最大产能可以达到每月 4.5 万片晶圆,投资额进一步提高至约 160 亿美元。

南亚科技已经开始试点生产 1cnm DRAM 工艺的 DRAM,1dnm DRAM 工艺正在开发中,预计很快进入试生产阶段。

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