据 ZDNet 援引行业消息，三星电子正在重新评估器兴（Giheung）园区在建的 NRD-K Line 2 产线定位，计划把原本规划的研发产线调整为晶圆代工产线，专门用于生产下一代 HBM 所需 2nm 逻辑基础裸片 ( Base Die ) ，提前承接英伟达等核心客户未来爆发的 HBM 需求。

NRD-K Line 2 原定功能为先进工艺研发，按照最新规划，这条产线投产之后主力供应定制化 HBM 与 HBM5 产品的基础裸片。三星已经确定 HBM5 基底裸片采用基于 GAA 架构的 2nm 工艺，新一代产品传输速率相比 HBM4E 需要提升 50% 以上，传统基底裸片已经难以满足带宽、功耗指标要求。首尔经济日报此前报道，三星已于今年 6 月首次对外公开 HBM5 相关方案。

这条产线目标投产时间为 2028 年下半年。消息人士表示，由于厂房整体规模偏小，未来大概率以 Send-Fab（辅助晶圆厂）模式运营：不独立完成全流程晶圆制造，接收来自其他主力量产产线的晶圆，只负责部分关键工序，作为三星尖端制程产能补充，而不是一条独立完整的量产线。

目前项目距离投产尚有两年建设周期，整体方案还没有最终敲定。虽然内部规划已经基本成型，但设备采购订单还没有正式下达，后续投资规模、产线用途依然会跟随半导体市场需求变化做出调整，仍存在变数。

NRD-K 是三星总投资约 20 万亿韩元打造的综合先进研发基地，共规划 3 条产线，1 号线已于 2024 年底完工。2 号线今年正式启动前期整地施工，现阶段地基建设正在推进当中。

从整体布局来看，把研发产线转为 HBM 基底裸片专用代工线，可以看作三星存储 + 代工协同战略的关键一步。HBM5 以及英伟达下一代 GPU Feynman 配套的定制 HBM 产品，都需要高性能逻辑基底裸片，如果三星可以自主供应 2nm Base Die，能够进一步拉开和竞争对手的差距，掌控 HBM 核心零部件产能。

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