快科技 8 月 19 日消息，摩根士丹利近日发布大中华区半导体行业报告，为消费电子市场拉响了警报。报告预测，2026 年第三季度 DDR4 内存价格将暴涨约 50%，第四季度还将继续上涨 10%。

与此同时，SLC NAND 闪存的涨价预期更为激进，今年剩余两个季度每季涨幅均将超过 50%，部分产品价格涨势可能延续至 2027 年第一季度。

这轮从 DRAM 到 NAND 的全面涨价，其重要驱动力在于 HBM 对产能的巨大消耗。HBM 制造所消耗的硅晶圆数量约为传统 DRAM 的三倍，且需求仍在持续攀升。

瑞银预测，仅英伟达一家公司在 2027 年就将消耗约 251 亿 Gb 的 HBM，占全球总产量约 615 亿 Gb 的四成。

晶圆厂正将产能从 DDR4、SLC NAND 等成熟产品加速转向 HBM、DDR5 和更高层数的 NAND 闪存，导致成熟制程产品的供应急剧收缩。

存储厂商加速退出 DDR4 等成熟产能的同时，需求端并未同步萎缩。DDR4 的需求正从单一的服务器市场拓宽至消费电子领域，供给收缩与需求扩散形成错配。

没有长协价格锁定，存储厂商可以完全享受现货价格上涨的红利。这种供需失衡推高了现货价格弹性，部分厂商的涨价收益甚至可能超过有长期协议的 DDR5 产品。

成熟内存涨势凶猛，DDR5 价格同样未见松动。美国银行数据显示，DDR5-5600/6400 24GB 现货价格 8 月环比再涨 8%，同比涨幅已达 483%。2025 年年中，一颗 24GB DDR5 芯片价格约 8 美元（约合人民币 54 元），目前正逼近 47 美元（约合人民币 317 元）。

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