每日经济新闻 昨天
摩根士丹利预计三季度成熟制程DRAM涨价50%!科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数盘中涨超1%,已连续3日净流入超5000万元
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盘面上,两市窄幅震荡,芯片设计概念上涨。科创芯片设计 ETF 天弘(589070)标的指数盘中涨 1.14%。成分股中,思瑞浦、康希通信、纳芯微、南芯科技涨超 5%,恒玄科技、希荻微、思特威 -W 等多股跟涨。

值得关注的是,Wind 显示,科创芯片设计 ETF 天弘(589070)近 3 个交易日(2026 年 08 月 17 日— 2026 年 08 月 19 日)实现连续 " 吸金 ",累计获资金净流入 5231.76 万元。最近 30 个交易日累计获资金净流入 1.17 亿元。截至 2026 年 08 月 19 日,该基金最新规模为 19.44 亿元,为同标的第一。

科创芯片设计 ETF 天弘 ( 589070 ) 具备 20% 涨跌幅的弹性,跟踪指数成分股囊括 50 家科创板芯片龙头企业,芯片设计行业占比高达 96.1%," 含芯量 " 满满,瞄准半导体高景气度细分赛道,成长空间可期。该 ETF 还配备了 2 只场外联接基金(A 类:027574;C 类:027575)。

消息面上,据财联社,摩根士丹利最新预测显示,成熟 DRAM 和 NAND 芯片供应紧张局面将进一步恶化。该机构预计,2026 年第三季度 DDR4 等成熟 DRAM 价格将上涨 50%,第四季度再涨 10%。同时,SLC NAND 闪存价格涨幅更为激进,今年剩余两个季度每季度均将上涨 50%。

天风证券认为,先进封装技术实现关键突破,台积电 5.5 倍光罩 CoWoS 已量产且良率稳定,异构集成与高带宽内存正加速商业应用;同时,政策推动 " 设计 + 制造 " 融合与自主芯片深度耦合大模型,具备全产业链整合能力的企业将迎来黄金发展期。

风险提示:成分股仅为客观展示,不代表个股推荐。本文观点不构成任何投资建议,市场有风险,投资需谨慎,指数基金存在跟踪误差,请投资人独立判断和决策。数据来源:wind。

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