截至 13 时 54 分，同指数费率最低标的科创芯片 ETF（588290）跟踪指数下跌 5.28%。成分股中，峰岹科技下跌 0.71%，拓荆科技下跌 1.02%，中科飞测下跌 1.62%。

消息面上，SK 海力士美国公司副总裁 Lee Jae-sik 在 Hot Chips 2026 会议上指出，AI 时代 HBM 的竞争不仅取决于存储本身，封装技术同样关键。SK 海力士目前采用 16 层三维堆叠设计和 MR+MUF 封装工艺，通过翘曲控制和窄间隙填充技术提升性能。

为实现 20 层以上堆叠，公司正开发混合键合技术，可将芯片厚度增加 24%，凸点间距缩小至 18 微米以下，同时改善散热。他还发布了 iHBM 技术，通过导热材料对芯片热点区域进行集中冷却。Lee 强调，HBM 需承受后续工艺的热量和机械应力，内存厂商、GPU 设计商、代工厂和封装厂商必须从一开始就协同设计、携手优化。

相关研究机构表示，海外半导体设备企业受核心零部件短缺、产能饱和约束，主流前道、存储配套设备交付周期拉长至 12 – 24 个月，同时开启涨价，三星、SK 海力士、美光等龙头扩产计划受制于设备供给瓶颈，迫切寻求多元化设备供应商以保障产能落地。（风险提示：以上信息仅供参考，不构成投资建议。入市有风险，投资需谨慎。）