快科技 8 月 27 日消息，中微公司近日宣布，其先进薄膜设备累计出货正式突破 500 个反应台。

产品涵盖低压化学气相沉积、金属薄膜沉积、介质薄膜沉积等多款核心机型，全面覆盖半导体制造主流薄膜沉积工艺需求，标志着公司高端薄膜沉积设备完成规模化商用布局。

薄膜沉积是先进逻辑、存储、特色器件与先进封装不可或缺的核心装备。中微已构建覆盖钨薄膜、金属栅、金属硅化物的先进薄膜组合，适配先进制程严苛工艺。

在钨金属沉积领域，中微自研 CVD-W、HAR-W 与 ALD-W 支持存储全流程金属钨沉积，已获多家核心存储客户量产订单；并适配先进逻辑多道钨互连、特色器件，实现存储、逻辑、特色三大领域全覆盖。

面向先进逻辑，中微 Preforma Uniflash ® 金属栅系列含 ALD 氮化钛、钛铝、氮化钽三款，完成头部逻辑客户验证，多项指标达世界先进；ALD 氮化钛还可适配存储、特色器件与先进封装。

针对高选择比、低电阻接触层痛点，中微推出 Preforma Uniflash ® 金属硅化物集成系统，适配逻辑源漏、背部供电与三维存储接触层，实现高质量微结构填充，填补国内高端金属硅化物设备空白。

截至 2026 年 6 月底，中微已开发 54 种高端设备，累计超 8800 个反应台在 220 余条产线量产，刻蚀与薄膜精度达原子级；中微连续 14 年销售年均增 35% 以上，人均年销售额约 450 万元，设备覆盖超 30% 前道集成电路设备。

面向未来，中微计划通过自主开发与外延并购，五年内外延覆盖 60% 以上集成电路高端设备与 70% 以上先进封装市场，向全球领先平台型设备公司迈进。

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