今日通信 ETF 开盘后震荡上行，全天强势，收涨 4.63%。

资料来源：wind

今日通信板块大幅走强，最直接的催化来自英伟达最新季报及管理层对未来需求的强劲指引。英伟达 2027 财年第二季度实现收入 962 亿美元，同比增长 106%，环比增长 18%；其中数据中心收入达到 890 亿美元，同比增长 117%，继续成为增长的绝对核心。公司同时给出下一季度 1080 亿美元的收入指引，高于市场此前预期。更重要的是，管理层首次罕见地给出较远期增长展望：预计 2028 财年收入同比增长约 70%，而此前市场一致预期约为 44%。管理层同时强调，这一预测仍然是在供应受限背景下给出的，需求本身更为强劲。

这组数据对通信板块的意义，并不只是 " 英伟达业绩好于预期 "，而是进一步确认 AI 基础设施建设仍处在向上扩张阶段。英伟达收入增长的背后，是全球云厂商、AI 实验室、NeoCloud、企业和主权 AI 客户持续增加算力投入。与此同时，英伟达与 AWS 宣布将在 2027 — 2028 年进一步部署 200 万颗 GPU，Vera Rubin 平台已经进入全面生产阶段。算力芯片数量持续增加之后，真正决定集群能否有效发挥算力的，不只是单卡性能，而是 GPU 之间的数据交换效率，这也是通信网络价值量持续提升的核心原因。

从底层逻辑看，AI 本质上不仅是 " 计算问题 "，也是 " 数据搬运问题 "。大模型训练和推理需要大量 GPU 并行工作，单个 GPU 性能越强、集群规模越大，对互联带宽和网络效率的要求反而越高。从 V100 到 H100，GPU 计算核心峰值算力提升了数十倍，但 HBM 显存带宽提升不到 4 倍；在服务器和数据中心层面，GPU 集群已经快速扩展至数万甚至数十万卡，网络密度和复杂度随之显著提升。在长距离高速传输场景中，光互联具有明显优势，因此光模块成为算力基础设施中景气度较高的环节之一。

网络速率升级也在持续抬升通信环节的价值量。1.6T 光模块 ASP 约为 800G 的两倍，意味着通信产业链不仅能够享受数量增长，还可能享受产品升级带来的单价提升。与此同时，随着 Rubin 等新一代平台推进，数据中心内部互联有望从传统 Scale Out 进一步向 Scale Up 演进。Scale Up 强调机柜内部和相邻计算单元之间更低时延、更高带宽的互联，随着单个计算域内 GPU 数量不断增加，光互联向柜内渗透有望打开新的需求空间。

从更长周期看，通信板块景气度最终仍取决于全球 AI 资本开支。我们基于产业链收入和乘数效应进行测算，全球 AI 资本开支 2027 年有望达到约 1.5 万亿美元。虽然远期预测存在较大不确定性，但英伟达此次给出的 2028 财年约 70% 收入增长展望，相当于再次从产业链核心环节验证了 AI 基础设施投资的持续性。只要 GPU 集群继续扩张，光模块、交换机、铜连接、光纤等网络环节就仍有望分享算力基础设施增长红利。

通信 ETF（515880）跟踪的中证全指通信设备指数聚焦通信设备产业链，指数中光模块、服务器、铜连接、光纤等与海外 AI 算力相关方向占比较高，因此能够较为直接地映射全球 AI 基础设施扩张与网络升级趋势。短期看，英伟达季报和远期指引强化了产业景气预期；中长期看，1.6T 升级、Scale Up 扩张以及全球 AI 资本开支持续增长，仍是通信板块值得关注的核心驱动力。感兴趣的投资者可关注通信 ETF（515880）。

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今日半导体设备 ETF 与通信同步上行，收涨 3.63%。

如果说通信板块的核心逻辑是海外 AI 算力资本开支，那么半导体设备当前更值得关注的变量，则是全球存储扩产周期正在加速。AI 服务器对 HBM 和高端 DRAM 的需求快速增长，同时数据中心对企业级 SSD 和 NAND 的需求也在提升。在供给扩张相对克制的背景下，存储价格持续上涨、厂商盈利能力显著修复，产业链正在从 " 涨价和盈利改善 " 逐渐走向 " 资本开支和产能扩张 "。对于半导体设备而言，真正决定中期订单的正是后者。

2026 年一季度全球存储销售额同比增长 238%，明显高于其他半导体品类；存储销售额占整个半导体行业的比重升至 46%。其中价格是这一轮增长的重要驱动力，2026 年一季度存储 ASP 同比上涨 165%，而出货量同比增长 27%。在价格和盈利改善之后，存储厂商扩产意愿开始明显增强。

存储扩产之所以对设备板块尤其重要，是因为存储制造本身就是设备投入强度非常高的环节，而且随着存储从平面结构走向 3D 堆叠，单位产能所需要的设备数量和工艺复杂度仍在提升。以 3D NAND 为例，当前主流产品已经达到 300 层以上，产业正在继续向更高层数演进。3D NAND 每增加一层，至少会增加多次薄膜沉积和刻蚀过程，同时层数越高，对薄膜均匀性、高深宽比刻蚀以及等离子体控制精度的要求越高。因此，存储扩产并不是简单的 " 多建几座厂 "，还伴随着单位晶圆设备价值量的持续提升。

这意味着，本轮存储资本开支上行中，刻蚀和薄膜沉积可能是弹性较大的核心环节。刻蚀设备需要完成高深宽比深孔结构，层数越高，工艺难度越大；薄膜沉积则需要在复杂三维结构中实现高度均匀、极薄的材料沉积。除此之外，清洗、CMP、量检测等设备也会随着晶圆厂产能建设同步增加需求。从全球设备市场来看，Bernstein 测算，全球 WFE 市场规模在 2026 — 2028 年有望由 1540 亿美元增长至 2590 亿美元，2025 — 2028 年复合增速约 29%，存储和先进逻辑是其中的重要增长来源。

对于国内半导体设备而言，除了全球行业扩张之外，还有第二层逻辑——国产化。当前国内设备厂商在刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP 等多个环节已经实现不同程度突破，但整体国产化率仍有较大提升空间。伴随国产化率不断提升，本土设备供应商市场空间在 2025-2028 年的 CAGR 有望达 +66%。增速相对全球平均水平高出一倍。

半导体设备 ETF（159516）所跟踪方向覆盖半导体设备与材料产业链，可以较为集中地承接晶圆厂资本开支回升以及国产化率提升带来的产业机会。短期看，存储价格上涨和盈利改善为扩产提供基础；中期看，DRAM、NAND 资本开支上行将逐步转化为设备订单；长期看，3D 化、先进制程以及自主可控仍有望推动国内设备企业扩大市场空间。感兴趣的投资者可关注半导体设备 ETF（159516）。

风险提示：投资人应当充分了解基金定期定额投资和零存整取等储蓄方式的区别。定期定额投资是引导投资人进行长期投资、平均投资成本的一种简单易行的投资方式。但是定期定额投资并不能规避基金投资所固有的风险，不能保证投资人获得收益，也不是替代储蓄的等效理财方式。无论是股票 ETF/LOF/ 联接基金，都是属于较高预期风险和预期收益的证券投资基金品种，其预期收益及预期风险水平高于混合型基金、债券型基金和货币市场基金。基金资产投资于科创板和创业板股票，会面临因投资标的、市场制度以及交易规则等差异带来的特有风险，提请投资者注意。板块 / 基金短期涨跌幅列示仅作为文章分析观点之辅助材料，仅供参考，不构成对基金业绩的保证。文中提及个股短期业绩仅供参考，不构成股票推荐，也不构成对基金业绩的预测和保证。以上观点仅供参考，不构成投资建议或承诺。如需购买相关基金产品，请您关注投资者适当性管理相关规定、提前做好风险测评，并根据您自身的风险承受能力购买与之相匹配的风险等级的基金产品。基金有风险，投资需谨慎。